В работе приведены результаты исследования тензоэлектрических свойств кремния в объеме, которого были сформированы нанокластеры примесных атомов марганца. Для увеличения величины деформации была разработана специальная геометрическая форма кристалла. Для исследования тензоэлектрических свойств образцов была сконструирована и собрана специальная установка, которая позволяет проводить измерения, как в темноте, так и при освещении
В работе приведены результаты исследования тензоэлектрических свойств кремния в объеме, которого были сформированы нанокластеры примесных атомов марганца. Для увеличения величины деформации была разработана специальная геометрическая форма кристалла. Для исследования тензоэлектрических свойств образцов была сконструирована и собрана специальная установка, которая позволяет проводить измерения, как в темноте, так и при освещении
The paper presents studies of the tensoelectric properties of silicon in the volume of which nanoclusters of impurity manganese atoms were formed. To increase the strain, a special geometric shape of the crystal was developed. To study the tensoelectric properties of the samples, a special installation was designed and assembled, which allows measurements to be made both in the dark and under lighting
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника |