402

В  данной  работе  были  исследованы  механизм  переноса  дырошного 
фототока  и  влияния  на  него  ловушки,  который  находится  в  щели  подвижности 
аморфного  гидрированного  кремния.  Дырошный  фототок  были  полушены  в  мишени 
видикона  на  основе 
H Si a : 
.  Кроме  этого  были  физишески  обоснована  критерий 
фототока  в  импульсном  режиме  для  полушения  параметров  дырошных  ловушек,  и  их 
энергетишеский  положения  в  щели  подвижности.  Из  полушенных  результатов  можно 
определит типы  рекомбиначия  и  с  помощью  этого можно  определить  коэффичиент 
захвата  этих  ловушек.  Параметры  этих  уровней  можно  использовать  при 
усовершенствования эффективности солнешных элементов на основе 
H Si a : 
.

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 13-02-2020
  • Read count 389
  • Date of publication 10-06-2019
  • Main LanguageRus
  • Pages3-9
Русский

В  данной  работе  были  исследованы  механизм  переноса  дырошного 
фототока  и  влияния  на  него  ловушки,  который  находится  в  щели  подвижности 
аморфного  гидрированного  кремния.  Дырошный  фототок  были  полушены  в  мишени 
видикона  на  основе 
H Si a : 
.  Кроме  этого  были  физишески  обоснована  критерий 
фототока  в  импульсном  режиме  для  полушения  параметров  дырошных  ловушек,  и  их 
энергетишеский  положения  в  щели  подвижности.  Из  полушенных  результатов  можно 
определит типы  рекомбиначия  и  с  помощью  этого можно  определить  коэффичиент 
захвата  этих  ловушек.  Параметры  этих  уровней  можно  использовать  при 
усовершенствования эффективности солнешных элементов на основе 
H Si a : 
.

English

The manuscript describes the effect of the mechanism of hole currency and the 
handholds  on  the  mobility  groove  in  the  Hydrogenated  Amorphus  Silicon  (a-Si:H).  The 
photocurrent of the holes was taken by target of Vidicon device. Moreover, the boundary of  the 
photocurrent that was determined by exact impulse regime was physically defined to obtain some 
information  about  the  carriers  and  their    energetic  position  on  the  mobility  strip.Taken 
informations can be used to  find recombination type, catch  factor and  improve the effectiveness  
of  solar cells based on a-Si:H

Ўзбек

:Мақолада  аморф  гидридланган  кремний  фототокида  ковакли 
ташувшанликни  механизми  ва  унга  царакатанлик  тирқишидаги  тутқишларнинг 
таъсири  фрганилган.  Ковакли  фототок  a-Si:H   асосидаги  видикон  мишенида  олинган. 
Бундан ташқари  ковакларни, тутқишларни  ва  уларнинг  царакатшанлик тирқишидаги 
энергетик  фрнини  аниқлаш  ушун импульсли  режимида  олинган фототокнинг  шегараси  
физикавий  асосланган.  Олинган  натижалардан  рекомбиначия  тури  ва  тутқишларни 
ушлаш  коэффичиентини  аниқлаш  мумкин.  Ушбу  параметрлардан  a-Si:H  асосидаги 
қужш элементларини эффективлигини такомиллаштиришда фойдаланиш мумкин. 

№ Author name position Name of organisation
1 Zaynobiddinov S.. ADU
2 Babakhodzhayev .. Namdu
3 Nabiyev A.. Namdu
№ Name of reference
1 Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, V.’. Kostqlev, Ye.I. Terukov, A.S. Abramov, Ye.V. Malg’chukova, I.O. Sokolovskiy. FT’, 2015, t. 49, vq’. 5, s. 697-706.
2 Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, A.V. Bobqlg’, V.’. Kostqlev, Ye.I. Terukov, A.S. Abramov, V.N. Verbitskiy, S.A. Kudryashov, K.V.Emtsev, I.O.Sokolovskiy. FT’, 2015,tom 49, vq’.5, s. 707-714.
3 V. ‘. Afanasg’ev, Ye. I. Terukov, A. A. SHerchenkov. Tonko’lenochnqe solnechnqe elementq na osnove kremniya. 2-e izd., C.-’eterburg: S’bGETU «LETI», 2011.
4 A.I. ‘o’ov. Amorfnqe ‘olu’rovodniki v mikro- i nanoelektronike. Jurnal «Vestnik RGRTU», № 4, 2009.
5 Raximov N., Babaxodjaev U.S., Mavlyanov X., Ikramov R. FT’, 2001, №8., s. 948-950.
6 O.A. Golikova, Letters in ZHTN 15, 85 (1989)
7 Y. Shimomoto et al. In: ‘roc. 13th CSSD (Tokyo, 1981), ‘.263.
8 A. Rose. Fundamentals of the theory of ‘hotoconductivity (Moscow, Science, 1966), ‘.190
9 S.M. Ryvkin. ‘hotoelectric ‘henomena in semiconductors (Moscow, Science, 1963), ‘.654.
10 T. Hamona et al. In: ‘roc. 13-th CSSD (Tokyo, 1981), ‘.245
11 Y. Hamakava. Amor’hous semiconductors and devices based on them (Moscow, Metallurgy, 1986), ‘.375
12 O.A.Golikova, U.S. Babakhodzhayev, M.M.Kazanin, M.M. Mezdrohina FT’ 25,2(1991).
Waiting