|
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОПТИМАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГЕСКИХ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ (GAAS1-ΔBIΔ)1-X-Y(GE2)X(ZNSE)Y, МЕТОДОМ ЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ
Илмий хабарнома
|
Zaynobidinov S.Z.,
Saidov A.S.,
Boboyev A.Y.,
Usmonov J.N.,
Yo'lchiyev S.X. |
Rus |
1268 |
1210 |
|
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ
Илмий хабарнома
|
Zaynobidinov S.Z.,
Boboyev A.Y.,
Usmonov J.N.,
Yo'lchiyev S.X.,
Mansurov X.J. |
Rus |
1538 |
1470 |
|
ИННОВАЦИОННЫЕ ПУТИ РАЗВИТИЯ МЕЖДУНАРОДНОГО СОТРУДНИЧЕСТВА УНИВЕРСИТЕТОВ ФЕРГАНСКОЙ ДОЛИНЫ
Илмий хабарнома
|
Aliyev R.U.,
Zaynobidinov S.Z.,
Yuldashev A.S. |
Rus |
979 |
918 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ - РАДИАЦИИ НА ВРЕМЯ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ТЕРМО-ОБРАБОТАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ
Илмий хабарнома
|
Zaynobidinov S.Z.,
Kurbanov A.O. |
Rus |
1256 |
1196 |
|
ОСОБЕННОСТИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ N-(GAAS) – Р-(GAAS)1-X-Y(ZNSE)X(GE2)Y ГЕТЕРОСТРУКТУР
Илмий хабарнома
|
Zaynobidinov S.Z.,
Saidov A.S.,
Boboyev A.Y.,
Akbarov A.J. |
O'zbek |
1191 |
1131 |
|
ДИЭЛЕКТРИК СИНГДИРУВЧАНЛИКНИНГ ЧАСТОТАГА БОҒЛИҚЛИГИ
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Aliev R.M.,
Zaynobidinov S.Z.,
Yuldasheva N..,
G'ulomov J.. |
O'zbek |
744 |
645 |
|
ИССЛЕДОВАНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ С ПОМОЩЬЮ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОВОДИМОСТИ АМОРФНОГО ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ И ЕГО МОДИФИКАЦИИ.
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Zaynobidinov S.Z.,
Babakhodjaev U.S.,
Nabiyev A.B. |
Rus |
675 |
573 |
