646

Показана возможность выращивания твердого раствора (GaAs1-δBiδ)0,46(Ge2)0,31(ZnSe)0,23 на подлож-ках GaP методом жидкофазной эпитаксии из висмутсодержащего раствора-расплава. Определено,что распределение компонентов по поверхности – однородное, а по толщине пленки содержание
Ge2 и ZnSe меняется в пределах 0 ≤ х ≤ 0.31, 0 ≤ у ≤ 0.23.

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system09-12-2019
  • Read count588
  • Date of publication07-09-2018
  • Main LanguageRus
  • Pages15-18
Русский

Показана возможность выращивания твердого раствора (GaAs1-δBiδ)0,46(Ge2)0,31(ZnSe)0,23 на подлож-ках GaP методом жидкофазной эпитаксии из висмутсодержащего раствора-расплава. Определено,что распределение компонентов по поверхности – однородное, а по толщине пленки содержание
Ge2 и ZnSe меняется в пределах 0 ≤ х ≤ 0.31, 0 ≤ у ≤ 0.23.

English

Growth possibility of the solid solution (GaAs1-δBiδ)0,46(Ge2)0,31(ZnSe)0,23  on GaP substrates by the method liquid-phase epitaxy from bismuth-containing solution-melts is shown. It is defined that the distribution of components over the surface is homogeneous, and on the film thickness the Ge2 and ZnSe content varies with in the range 

0 ≤ х ≤ 0.31, 0 ≤ у ≤ 0.23.
 

№ Name of reference
1 1. Усмонов Ш.Н., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю. ФТТ, 2014, том 56, вып. 12, ст. 2319-2325. 2. Саидов А.С., Усмонов Ш.Н., Амонов К.А. Альтьернативная энергетика и экология. №15. №137. 2013. ст. 41-45. 3. Зайнабидинов С.З., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Каланов М.У., Усмонов Ш.Н., Бобоев А.Й. ФТП. 2016,Т.50, Вып.1, С. 60-66. 4. Zainabidinov S., Kalanov M., Boboev A. Proceedings of international conference fundamental and applied problems of physics. (Tashkent 2017, June 13-14.). pp. 107-110. 5. Saidov A. S., Zainabidinov S. Z., Kalanov M.U., Boboev A.Y., Kutlimurotov B.R. Applied Solar Energy. 2015, Volume 51, Issue 3, pp. 206-208. 6. Akramjon Boboev, Makhmud Kalanov and Sirojiddin Zainabidinov. Mediterranean Journal of Physics 2016, 1(1), рр. 12-15. 7. Boboev A.Y., Kalanov M.U., Zainabidinov S.Z., Saidov A.S., Leiderman A.Yu. ДАН РУз, 2016, № 5, ст.15-18. 8. Шутов С. В. Материалы для электронных компонентов. 1999, № 5-6, ст. 48-50. 9. Ганина Н. В., Уфимцев В. Б., Фистуль В. И. Письма в ЖТФ. 1982. Т. 9, вып. 8. ст. 620-623. 10. Жиляк Г. А., Краснов В. А., Крижановский А. Н. и др. Полупроводни¬ковые материалы. М.: Гиредмет, 1992. Вып. 8. ст. 60-61. 11. Lifei Yu, Dechun Li , Shengzhi Zhao, Guiqiu Li and Kejian Yang. Materials, 2012, 5, pр. 2486-2497. 12. Saidov A.S., Boboev A.Y. Growth of solid solutions of replacement (GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 and (GaAs)0.76(ZnSe)0.15(Ge2)0.09 /The International Symposium “New Tendencies of Developing Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements, Prospectives” November 10-11, 2016. Р 178-180. 13. Саидов М.С. Избранные статьи. Тошкент 2010. с.13-17, с.17-24, с.23-24, с.38-43, с. 43-47, с. 78-81. 14. Sheng S.L. Semiconductor Physical Electronics. - Second Edition. - Springer, 2006. - 708 с. - ISBN 978-0387-28893-2.
Waiting