1204

Publisher info

Name:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Address:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Phone: +998 71 248 79 94

Email: ispm_uz@mail.ru

Name 2019, том 1, выпуск 1
Journal Физика полупроводников и микроэлектроника
Volume Number 1
Published At 28/02/2019
Pages 71
Issue Number 1
Total number 6
File
Waiting
The full name of the article Language Pages View count Read count

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ СВОЙСТВ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОХЛАДИТЕЛЕЙ В ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 32-34 422 0

ВЛИЯНИЕ ПЕРЕХОДНОЙ ОБЛАСТИ СОСТАВОВ GaxIn1-xP НА ИХ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 35-37 304 0

ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА МОП СТРУКТУРЫ Al-Al2O3-p-CdTe-Mo -В ПРЯМОМ НАПРАВЛЕНИИ ТОКА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 38-40 421 0

ПРИНЦИПЫ ПОВЫШЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ К ВНЕШНИМ ВОЗДЕЙСТВИЯМ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 45-47 567 0

ИЗМЕРИТЕЛЬ ОПТИЧЕСКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ДИАГНОСТИКИ ОПТОВОЛОКОННЫХ ЛИНИЙ СВЯЗИ И ЦИФРОВОЙ МУЛЬТИМЕТР

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 48-50 502 0