616
Publisher info
Name:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Address:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Phone: +998 71 248 79 94
Email: ispm_uz@mail.ru
| Name | 2019, том 1, выпуск 5 | ||
| Journal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Volume Number | 1 | ||
| Published At | 27/10/2020 | ||
| Pages | 79 | ||
| Issue Number | 5 | ||
| Total number | 79 | ||
| File | |||
| The full name of the article | Language | Pages | View count | Read count |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 9-27 | 477 | 0 |
|
ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕНОСА ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ n-GaP-p-(InSb)1-x(Sn2)x ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 28-35 | 374 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОБРАБОТОК НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ ЛЕГИРОВАННОМ ПЛАТИНОЙ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 36-40 | 345 | 0 |
|
DIGITAL HOLOGRAPHIC INTERFEROMETRY IN PHYSICAL MEASUREMENTS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 272 | 0 | |
|
THREE-BARRIER Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag PHOTODIODE STRUCTURES Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 47-51 | 393 | 0 |