Методом емкостной спектроскопии исследована кинетика отжига глубоких уровней в кремнии с примесью платины при низких температурах. Показано, что изотермический отжиг глубоких уровней в Si<Pt> начинается при 350оС и приводит к резкому уменьшению концентрации уровней Pt, при этом по мере отжига концентрация уровня Ес-0.21 эВ, обусловленного дефектами термообработки, увеличивается. Установлено, что кинетика отжига уровней зависит и от содержания кислорода в кремнии.
The kinetics of deep-level annealing in silicon with an admixture of platinum at low temperatures was studied using capacitive spectroscopy. It is shown that isothermal annealing of deep levels in Si<Pt> begins at 350oC and leads to a sharp decrease in the concentration of Pt levels, while as annealing progresses, the concentration of the EC-0.21 eV level due to heat treatment defects increases. It was found that the kinetics of annealing levels also depends on the oxygen content in silicon.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Utamuradova S.B. | Директор | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 2 | Fayzullaev K.. | Сотрудник | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 3 | Olibekov Z.O. | Сотрудник | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 4 | Khamdamov J.J. | Сотрудник | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника |