Изучено поведение атомов гадолиния в кремнии и установлено, что диффузионное легирование n-Si гадолинием приводит к резкому увеличению величины удельного сопротивления. Это свидетельствует о том, что гадолиний вводит акцепторные центры в кремнии. Обнаружено уменьшение концентрации оптически активного кислорода на 10  30 % по сравнению с термообработанными контрольными образцами

The behavior of gadolinium atoms in silicon was studied and it was found that diffusion doping of n-Si with gadolinium leads to a sharp increase in the 27 resistivity. This indicates that gadolinium introduces acceptor centers in silicon. A decrease in the concentration of optically active oxygen by 10  30% was found in comparison with heat-treated control samples.