Исследование особенностей перехода автоколебаний тока от одного типа к другому в сильнокомпенсированном кремния, легированного примесними атомам марганца, цинка и серы вызывает большой интерес с точки зрения изучения как самих механизмов автоколебаний тока, так и физики неравновесных процессов. Для объяснения механизма автоколебаний тока в сильнокомпенсированном кремния с учетом многозарядности нано кластеров атомов предложена модель сильнокомпенсированного полупроводника. Установлено, что предложенная модель удовлетворительно соответствует экспериментальным результатам.

The study of the features of the transition of current self-oscillations from one type to another in highly compensated silicon doped with impurity atoms of manganese, zinc and sulfur is of great interest from the point of view of studying both the mechanisms of current self-oscillations and the physics of nonequilibrium processes. To explain the mechanism of self-oscillations of current in highly compensated silicon, taking into account the multicharging of atomic clusters, a highly compensated semiconductor model is proposed. It was established that the proposed model satisfactorily corresponds to the experimental results