367

  • Журнал номи
  • Нашр номи
  • Кўришлар сони 367
  • Internet ҳавола
  • DOIdoi.org/10.47100/conference_physics/S2_18
  • UzSCI тизимида яратилган сана 20-08-2020
  • Ўқишлар сони 265
  • Нашр санаси
  • Мақола тилиO'zbek
  • Саҳифалар сони114-118
Калит сўзлар
Русский

Показано что, в зависимости от температуры концентрация электрически активного никеля может увеличиваться на 1-1,5 порядка. Доказано что, введение никеля в кремний позволяет получить материал со стабильными электрофизическими параметрами. Определены условия получения полупроводниковых материалов, установлены режимы диффузии, позволяющие получить образцы с удельным сопротивлением ρ > 2ˑ105 Ом·см.

English

It is shown that, depending on the temperature, the concentration of electrically active nickel can increase by 1-1.5 orders of magnitude. It is proved that the introduction of nickel into silicon allows one to obtain a material with stable electrophysical parameters. The conditions for obtaining semiconductor materials are 115 determined, diffusion regimes are established that make it possible to obtain samples with specific resistance ρ> 2ˑ105 Ohm · cm

Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Nasriddinov S.S.
2 Ismailov S..
3 Esbergenov D..
4 Mannonov M..
Ҳавола номи
1 Milnes A. Deep impurities in semiconductors.-John Wilnes & Sons? 1973
2 Bakhadyrkhanov M.K., Iliyev Kh.M., Ayupov K.S., Abdurakhmanov B.A., Krivenko P.Yu., Kholmukhamedov R.L. Self-Organization of Nickel Atoms in Silicon // Inorganic Materials. 2011. Vol. 47. № 9. PP. 962-964.
3 Bakhadirkhanov M.K., Ayupov K.S., Mavlonov G.Kh., Isamov S.B. Negative Magnetoresistance in Silicon with Manganese-Atom Completes [Mn]4 // Semiconductors. 2010. Vol. 44. № 9. PP. 1145-1148.
4 Bakhadyrkhanov M.K., Ajupov K.C., Arzikulov Eh.U., Srazhev S.N., Toshboev T.U. Termicheskie svojjstva kremnija s klasterami atomov nikelja // Izvestija vysshikh uchebnykh zavedenijj. Fizika. 2008. № 11 (3). S. 170-172.
5 Valiev S.S., Nasriddinov, Tachilin S. Sensitive Thermosensors on the basis of highly compensated silicon // Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2007. Vol. 43. № 6. PP. 505-507.
6 Nasriddinov S.S. Struktura pribora dlja izmerenija temperatury s pomoshh'ju datchika na osnove kremnija s nanoklasterami nikelja. // Zhurnal. Problemy ehnergoi resursosnabzhenija. Tashkent. 3-4/2011, S.145-150.
Кутилмоқда