306

Ёруғлик таъсирида p-n ўтишда электрон ва ковакларнинг Ферми квазисатхларини ўрганилган. Ферми квазисатҳларининг ёруғлик таъсирида ўзгаришлари билан p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини боғлиқлиги кўриб чиқилган. Ёруғлик таъсирида электрон ва ковакларнинг ферми квазисатхларининг ўзгариши p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини j -V текислиги бўйлаб кучли силжишига сабаб бўлиши кўрсатилган.

  • Журнал номи
  • Нашр номи
  • Кўришлар сони 306
  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 21-08-2020
  • Ўқишлар сони 205
  • Нашр санаси
  • Мақола тилиO'zbek
  • Саҳифалар сони235-242
Ўзбек

Ёруғлик таъсирида p-n ўтишда электрон ва ковакларнинг Ферми квазисатхларини ўрганилган. Ферми квазисатҳларининг ёруғлик таъсирида ўзгаришлари билан p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини боғлиқлиги кўриб чиқилган. Ёруғлик таъсирида электрон ва ковакларнинг ферми квазисатхларининг ўзгариши p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини j -V текислиги бўйлаб кучли силжишига сабаб бўлиши кўрсатилган.

English

Investigation of the changes in the Fermi quasilevels of electrons and holes upon illumination by light. The relationship between the current-voltage characteristic of the pn junction and the changes in the quasi-Fermi levels of electrons and nuclei is considered. It is shown that a change in the Fermi quasilevels by illumination leads to a strong displacement of the current – voltage characteristic of the p – n junction along the j – V plane

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Gulyamov G..
2 Shahobddinov B..
3 Majidova G..
4 Muhiddinova F..
№ Ҳавола номи
1 Ҳелмут Спиелер “Introduction to radiation detectors and Electronis”, 30 – мар – 99. IX.2.a. A semiconductor device primer – doping and diodes.
2 С. Зи “Физика полупроводниковвых приборов” том – 1. Стр (91 – 100).
3 В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников «Физика полупроводников», Наука, М.1977.
4 М.А. Азизов “Яримўтказгичлар физикаси” Тошкент – 1974 стр.(208 – 210).
5 Tetsuo Soga Nanostructured Materials for Solar Energy Conversion © 2006 Elsevier B.V. All rights reserved. Chapter 1 Fundamentals of Solar Cell p (8-20).
6 Г. Гулямов , У.И. Эркабоев , Н.Ю. Шарибаев , А.Г. Гулямов ЭДС, возникающая в p−n-переходе при воздействии сильного СВЧ поля и света/ Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, вып. 3. https://doi.org/10.1134/S1063782619030060
Кутилмоқда