Работа посвящена результатам исследования радиационных обработок барьеров Шоттки с микрорельефной границей раздела. Показано изменение электрофизических параметров, проявляющееся в эволюции вольтамперных характеристик с нарастанием дозы облучения. Анализ ВАХ с помощью эквивалентной схемы, учитывающей все составляющие токопрохождения и наличие сопротивления подложки показывает большую устойчивость микрорельефных структур к радиационным обработкам
Работа посвящена результатам исследования радиационных обработок барьеров Шоттки с микрорельефной границей раздела. Показано изменение электрофизических параметров, проявляющееся в эволюции вольтамперных характеристик с нарастанием дозы облучения. Анализ ВАХ с помощью эквивалентной схемы, учитывающей все составляющие токопрохождения и наличие сопротивления подложки показывает большую устойчивость микрорельефных структур к радиационным обработкам
The paper concerns the results of the study of radiation treatment of Schottky's barriers with a micro relief interface. Changes in electrophysical parameters manifested in the evolution of volt-ampere characteristics with increasing radiation dose are shown. The analysis of IV curve by using the equivalent scheme and taking into account all the canals of charge transfer and the presence of substrate resistance shows a higher resistance of micro-textured structures to radiation treatment.
| № | Муаллифнинг исми | Лавозими | Ташкилот номи |
|---|---|---|---|
| 1 | Bekbergenov S.Y. | ||
| 2 | Tagaev M.B. | ||
| 3 | Statov V.A. |
| № | Ҳавола номи |
|---|---|
| 1 | Dmitruk N.L., Mamykin S.V., Rengevych O.V. Formation, geometric and electronic properties of microrelief Au–GaAs interfaces // Applied Surface Science. 2000 V. 166, I. 1–4, p.97-102 |
| 2 | Dmitruk N.L., Korovin A.V., Borkovskaya O.Yu., Dmytruk A.M., Mamontova I.B., Mamykin S.V. Plasmonic photovoltaics: Self-organized metal nanowires on the solar cell surface/interface // Proceedings of the 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. 2012. p.408-411 |
| 3 | Venger E.F., Dmitruk N.L., Yastrubchak O.B. Difrakcionnye reshetki na poverhnosti poluprovodnikov i ih ispolzovanie v polyaritonnoj optoelektronike. // Optoelektronika i poluprovodnikovaya tehnika. - 1997. - Vyp.32. - S.116-138. |
| 4 | Borkovskaya O.Yu., Dmitruk N.L., Konakova R.V., Litovchenko V.G., Thorik Yu.A., Shahovcov V.I. Effekty radiacionnogo uporyadocheniya v sloistyh strukturah na osnove soedinenij A3B 5 . Preprint № 6. - Kiev: IF USSR. - 1986.-68 s |
| 5 | Borkovskaya O.Yu., Gorbach T.Ya., Dmitruk N.L., Mishuk O.A. Vliyanie mikrorelefa poverhnosti na elektrofizicheskie harakteristiki v kontakte metallpoluprovodnik s barerom Shottki. Fotoemissionnye harakteristiki. // FTP. - 1989. - 23. - № 12. - S.2113-2117. |
| 6 | Borkovskaya O.Yu., Gorbach T.Ya., Dmitruk N.L., Mishuk O.A. Vliyanie mikrorelefa poverhnosti na elektrofizicheskie harakteristiki v kontakte metallpoluprovodnik s barerom Shottki. Voltampernye harakteristiki kontakta. // Elektronnaya tehnika. Ser. 2. Poluprovodnikovye pribory. - 1989. - Vyp.5. - S.50-55. |
| 7 | Brailovskij E.Yu., Konozenko I.D. O defektah, vvodimyh v GaAs n-tipa pri obluchenii gamma-kvantami 60Co. // FTP. - 1968. - 2. - № 11. - S.1620-1622 |
| 8 | Belyaev A.E., Breza J., Venger E.F., Veseli M., Illin I.Yu., Konakova R.V., Liday J., Lyapin V.G., Milenin V.V., Prokopenko I.V., Tkhorik Yu.A. Radiation resistance of GasAs-based microwave Schottky-barrier devices. Kiev: Interpress Ltd. 1998. 127 p |
| 9 | Belyaev A.E., Venger E.F., Ermolovich I.B., Konakova R.V., Lytvyn P.M., Milenin V.V., Prokopenko I.V., Svechnokov G.S., Soloviev E.A., Fedorenko L.I. Effect of micorwave and laser radiations on the parameters of semiconductor streuctures. Kiev: Intas. 2002. 191 p. |
| 10 | Danilchenko B. Budnyk A., Shpinar L., Poplavskyy D., Zelensky S.E., Barnham K.W.J., Ekins-Daukes N.J. 1 MeV electron irradiation influence on GaAs solar cell performance// Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 2008. V. 92, I. 11, p. 1336-1340 |