311

В статье приводятся результаты исследований пленок твердого раствора ZnXSn1-ХSe, полученных методом химического молекулярно пучкового осаждения. Были изучены их электрические свойства. Приведены зависимости μ(х) для пленок ZnxSn1-xSe. Характерным для всех типов твердых растворов является монотонный спад значение μ, n с ростом молярного содержания широкозонной компоненты

  • Журнал номи
  • Нашр номи
  • Кўришлар сони 311
  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 22-08-2020
  • Ўқишлар сони 222
  • Нашр санаси
  • Мақола тилиRus
  • Саҳифалар сони191-194
Русский

В статье приводятся результаты исследований пленок твердого раствора ZnXSn1-ХSe, полученных методом химического молекулярно пучкового осаждения. Были изучены их электрические свойства. Приведены зависимости μ(х) для пленок ZnxSn1-xSe. Характерным для всех типов твердых растворов является монотонный спад значение μ, n с ростом молярного содержания широкозонной компоненты

English

The article presents the results of studies of ZnXSn1-XSe films obtained by chemical molecular beam deposition. Their electrical properties were studied. The μ(x) dependences for ZnxSn1-xSe films are presented. Characteristics of all types of film is the monotonic decrease in μ (Hall mobility), n (carrier concentration) with increasing molar content of the wide-gap component.

Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Razykov T.M.
2 Yuldoshov R.T.
3 Kuchkarov K.M.
Ҳавола номи
1 Kumar V., Anita Sinha, et al. Concentration and temperature dependence of the energy gap in some binary and alloy semiconductors // Infrared Physics & Technology 69 2015. 222–227pp.
2 Vasudeva Reddy, Minnam Reddy, Sreedevi Gedietal. Perspectives on SnSebased thin film solar cells: a comprehensive review. Journal of Materials Science: Materials in Electronics June 2016, Volume 27, Issue 6, 5491-5508 pp.
3 Mitsutaro Umehara, Yasuhiko Takeda, Shin Tajima at.al. Improvement of red light response of Cu2Sn1-xGexS3 solar cells by optimization of CdS buffer layers. Journal of applied physics 118, 2015.
Кутилмоқда