289

В данной статье были изучены процессы токопрохождения в диодных структурах на основе твердых растворов «кремний-сульфид кадмия». Полученные результаты показали, что в исследованных p-Si-n-(Si2)1- x(CdS)x (0x 0.01)структурах в переходной области «подложка - эпитаксиальный слой» образуется компенсированный высокоомный слой из твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x.

  • Журнал номи
  • Нашр номи
  • Кўришлар сони 289
  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 22-08-2020
  • Ўқишлар сони 182
  • Нашр санаси
  • Мақола тилиRus
  • Саҳифалар сони214-218
Русский

В данной статье были изучены процессы токопрохождения в диодных структурах на основе твердых растворов «кремний-сульфид кадмия». Полученные результаты показали, что в исследованных p-Si-n-(Si2)1- x(CdS)x (0x 0.01)структурах в переходной области «подложка - эпитаксиальный слой» образуется компенсированный высокоомный слой из твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x.

English

In this article, the processes of current flow in diode structures based on solid solutions “silicon-cadmium sulfide” were studied. The results showed that in 215 the studied p-Si-n-(Si2)1-x(CdS)x (0x 0.01) structures in the transition region “substrate - epitaxial layer” a compensated high-resistance layer is formed from a solid solution(Si2)1-x(CdS)x.

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Madaminov X.M.
№ Ҳавола номи
Кутилмоқда