На основе проведенного сравнительного анализа возможностей различных методов, можно сказать следующее, что наиболее хороших результатов при изготовлении приборных структур микроэлектроники, можно достичь используя методы МЛЭ и ионной имплантации.
На основе проведенного сравнительного анализа возможностей различных методов, можно сказать следующее, что наиболее хороших результатов при изготовлении приборных структур микроэлектроники, можно достичь используя методы МЛЭ и ионной имплантации.
Based on a comparative analysis of the capabilities of various methods, we can say the following that the best results in the manufacture of instrument structures of microelectronics can be achieved using the MBE and ion implantation methods.
| № | Муаллифнинг исми | Лавозими | Ташкилот номи |
|---|---|---|---|
| 1 | Tashatov A.. | ||
| 2 | Egamberdiev O.. | ||
| 3 | Khuzhamberdieva J.. |
| № | Ҳавола номи |
|---|---|
| 1 | Tashatov A. K., Kodirov I. N. //Pribor dlya kompleksnoj diagnostiki poverhnosti tverdyh tel, implanirovannyh ionnoj nizkih `energij// Uzbekskij fizicheskij zhurnal. 1995, № 1, s. 63-65 |
| 2 | Tashatov A. K. //Sravnenie parametrov getero`epitakcial'nyh struktur, plouchennyh razlichnymi metodami // Fizikaviy elektronika bo'yicha IV- Respublika anjumani. Maruzalar tezislari. -Toshkent, 2005. B 26 |