334

Исследовано влияние разогрева электронов и дырок на коэффициент неидеальности вольт-амперной характеристики p−n перехода в сильном СВЧ поле. Установлено, что коэффициент неидеальности диода зависит от типа носителей заряда, создающего основной ток в p−n переходе. Выявлено, что в некоторых случаях в кремниевых образцах, несмотря на то что температура электронов выше, чем дырок, коэффициент неидеальности диода определяется температурой дырок.

  • Журнал номи
  • Нашр номи
  • Кўришлар сони 334
  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 22-08-2020
  • Ўқишлар сони 193
  • Нашр санаси
  • Мақола тилиRus
  • Саҳифалар сони248-255
Русский

Исследовано влияние разогрева электронов и дырок на коэффициент неидеальности вольт-амперной характеристики p−n перехода в сильном СВЧ поле. Установлено, что коэффициент неидеальности диода зависит от типа носителей заряда, создающего основной ток в p−n переходе. Выявлено, что в некоторых случаях в кремниевых образцах, несмотря на то что температура электронов выше, чем дырок, коэффициент неидеальности диода определяется температурой дырок.

English

The effect of electron and hole heating on the nonideality coefficient of the current – voltage characteristic of the p – n junction in a strong microwave field is studied. It was found that the non-ideality coefficient of the diode depends on the type of charge carriers that creates the main current in the p – n junction. It was revealed that in some cases in silicon samples, despite the fact that the electron temperature is higher than holes, the diode non-ideality coefficient is determined by the hole temperature.

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Gulyamov G..
2 Shaxobiddinov B..
3 Umarov K..
4 Soliyev A..
№ Ҳавола номи
1 Sze S.M., Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor Devices. – New York, London: John Willey & Sons. Inc., 2007. – 815 p
2 G. Greco, F.Iucolano, F. Roccaforte. Appl. Surf. Sci., 383, 324 (2016).
3 G. Gulyamov, A.G.Gulyamov. Semiconductors vol 49, No 6, pp.819-822. 2015.
4 L. Kakanakova, R. Kakanakov, I. Kakanakov, N. Nordtll, S. Savage, E.B. Svedberg, L.D. Vadsen. Silicon Carb. Relat. Mater. 1999 - Mater. Sci. Forum, 338- 343, 1009 (2000).
5 K. Vassilevski, K. Zekentes, G. Constantinidis, I. Nikitina. Mater. Sci Engin. B, 80 (1-3), 374 (2001).
6 P.A. Ivanov, I.V. Grehov, A.S. Potapov, O.I. Kon'kov, N.D Il'inskaya i dr. FTP, 46, 411, (2012)
7 J.D. Caldwell, R.E. Stahlbush, E/A. Imhoff, K.D.Hobart, M.J. Tadjier, Q. Zhang, A.Agarwall. J. Appl. Phys., 106, 044504 (2009).
8 A. Scorzoni, F. Moscatelli, A. Poggi, G.C. Cardinali, R. Nipoti. Silicon Carb. Relat. Mater. 2004 - Mater. Sci. Forum, 457-460, 881 (2004)
9 A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, S.V. Novitskii, V.N. Sheremet, J. Li, S.A.Vitusevich., J. Appl. Phys., 111(8), 083701 (2012).
10 A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, R.V. Konakova. FTP, 50(6), 777 (2016).
11 L.A. Kosyachenko, N.S. Yurcenyuk, I.M. Rarenko, V.M. Sklyarchuk, O.F. Sklyarchuk, Z.I. Zaharuk, E.V. Grushko. FTP, 47(7), 907 (2013).
12 F.G. Bass, V.S. Bochkov, Yu.G. Gurevich. `Elektrony i fonony v ogranichennyh poluprovodnikah, M.: Nauka, 1984
13 G. Gulyamov, U.I. `Erkaboev, N.Yu. Sharibaev, A.G. Gulyamov FTP, 2019, tom 53, vyp. 3, s.396
Кутилмоқда