284

  • Журнал номи
  • Нашр номи
  • Кўришлар сони 284
  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 22-08-2020
  • Ўқишлар сони 183
  • Нашр санаси
  • Мақола тилиO'zbek
  • Саҳифалар сони302-307
Калит сўзлар
Русский

Исследовано изменение электрофизических свойств поверхности Si(111) и Si(100) в процессе ионной имплантации и последующего отжига. Анализируются возможности управления электрофизические свойствами поверхностных слоев Si(111) и Si(100) имплантацией ионов щелочных и щелочно-земельных элементов. Обсуждаются некоторые электрофизические свойства полупроводников, содержащих p- и n- структуры и возможности их применения в электронике.

English

The change in the electrical properties of the Si (111) and Si (100) surfaces during ion implantation and subsequent annealing was studied. The possibilities of controlling the electrophysical properties of the surface layers of Si (111) and Si (100) by the implantation of ions of alkaline and alkaline-earth elements are analyzed. Some electrophysical properties of semiconductors containing p- and nstructures and the possibilities of their application in electronics are discussed.

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Raximov A.T.
2 Rysbaev A.S.
3 Igamov B..
4 Khudayberdieva M..
№ Ҳавола номи
1 Likharev, K.K. Electronics below 10 nm. In.: Nano and giga challenges in microelectronics / K. K. Likharev. Amsterdam: Elsivier, 2003. P. 27-68.
2 Iwai, H. Future semiconductor manufacturing-challenges and opportunities / H. Iwai // IEDM Technical Digest. 2004. P. 1-16.
3 Plyusnin N.I. Metallicheskie nanoplenki na monokristallicheskom kremnii: rost, svojstva i primenenie.// Izvestiya vysshih uchebnyh zavedenij. Materialy `elektronnoj tehniki. 2015. T. 18, № 2. C. 81-94.
4 Hicks L.D., Dresselhaus M.S. Phys. Rev. В 47, 12727 (1993).
5 Дмитриев A.B., Звягин И.П. УФН 180, 821 (2010).
6 Burkov А.Т., Vinzelberg H., Schumann J., Nakama T., Yagasaki K. J. Appl. Phys. 95, 3229 (2001).
7 . Tetel'baum D.I. Ionnaya implantaciya.// Vestnik Nizhegorodskogo universiteta im. N.I. Lobachevskogo, 2010, № 5 (2), s. 250-259
8 Rysbaev A.S., Khuzhaniyazov Zh.B., Normuradov M.T., Rakhimov A.M., Bekpulatov I.R. Peculiarities of the electron structurе of nanosized ion-implanted layers in silicon.// Technical Physics, 2014, Vol. 59, № 11, Р. 1705-1710.
Кутилмоқда