228

Мақолада ўз-ўзидан қўзғалиш хавфини бартараф этиш ҳамда юқори ҳарорат шароитлари ва кескин ўзгарувчи манба кучланишларида юқори ишончлиликни таъминлаш мақсадида каскодли схемаларни қўллаш таклиф этилган, ҳусусан, кучланиш бўлгич занжирига кетма-кет уланган транзисторлардан ташкил топган кўп бўғинли каскодли транзистор таклиф этилган.

  • Журнал номи
  • Нашр номи
  • Кўришлар сони 228
  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 05-10-2020
  • Ўқишлар сони 120
  • Нашр санаси
  • Мақола тилиO'zbek
  • Саҳифалар сони319-324
Ўзбек

Мақолада ўз-ўзидан қўзғалиш хавфини бартараф этиш ҳамда юқори ҳарорат шароитлари ва кескин ўзгарувчи манба кучланишларида юқори ишончлиликни таъминлаш мақсадида каскодли схемаларни қўллаш таклиф этилган, ҳусусан, кучланиш бўлгич занжирига кетма-кет уланган транзисторлардан ташкил топган кўп бўғинли каскодли транзистор таклиф этилган.

English

The article examines the possibility of creating the basic components of digital circuits based on bipolar transistors operating in injection-volt mode, eliminating the risk of self-excitation and ensuring high reliability under high temperature conditions and abruptly changing source voltages. Injection-voltage electronic switches operating at a voltage source close to the contact potential difference have been developed.

Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Toshmatov S..
2 Alimova N..
3 Aripova Z..
Ҳавола номи
1 Аripov Х.К., Аbdullaev А.М., Alimova N.B., Bustanov X.X., Obedkov E.V., Toshmatov Sh.T. “Elektronika” // Darslik. T.: O`zbekiston faylasuflar jamiyati nashriyoti, 2012. –400 b
2 Арипов Х.К., Аbdullaev А.М., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. “Sxemotexnika” // Darslik . T.: “Tafakkur bo`stoni”, 2013. –447 b.
3 Alimova N.B. Sxemy na osnove mnogozvennykh kaskodnykh sosnavnykh tranzistorov // Global science and innovations 2019: Сentral Asia 2019. Аstana, 2019. –S.139-142.
Кутилмоқда