КРЕМНИЙ АСОСЛИ ҚУЁШ ЭЛЕМЕНТЛАРИГА ГАММА РАДИАЦИЯНИНГ ТАЪСИРИ

Nosirov  Murodjon; Gulomov Jasurbek; Madaminova Iroda; Aliev Raimjon

275

Ушбу мақолада кремний асосли қуёш элементларида заряд ташувчиларининг кинетик характеристикалари ва волт-ампер характеристикасига гамма радиациянинг таъсирини назарий таҳлили ҳамда янги миллий рақамли технологик платформада олинган натижалар келтирилган

Журнал номи
Нашр номи
Кўришлар сони 275

Internet ҳавола

DOI

UzSCI тизимида яратилган сана 12-10-2020

Ўқишлар сони 187

Нашр санаси

Мақола тилиO'zbek

Саҳифалар сони179-184

Калит сўзлар

моделлаштириш

қуёш элементи

кремний

диффузион узунлик

гамма радиация

Ўзбек

Ушбу мақолада кремний асосли қуёш элементларида заряд ташувчиларининг кинетик характеристикалари ва волт-ампер характеристикасига гамма радиациянинг таъсирини назарий таҳлили ҳамда янги миллий рақамли технологик платформада олинган натижалар келтирилган

Калит сўзлар

моделлаштириш

қуёш элементи

кремний

диффузион узунлик

гамма радиация

English

In this article, describes theoretical analyzing of gamma radiation influence kinetic characteristics of carriers in silicon bases solar cell and its I-V charactersitics also give results that is taken by new digital technological platform.

Калит сўзлар

modeling

solar cell

silicon

diffusion length

gamma radiation

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи

1 Nosirov M..

2 Gulomov J..

3 Madaminova I..

4 Aliev R..

№ Ҳавола номи

1 F.H.ATTIX,Dosimetry by Solid State Devices, NRL Report 5777, June 15, 1962.

2 J. Barth, “Modeling Space Radiation Environment”, 1997 IEEE NSREC Short Course.

3 M. A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, and E. D. Dunlop, “Solar cell efficiency tables (version 39),” Progress in Photovoltaics: Research and Applications, vol. 20, no. 1, pp. 12–20, Jan. 2012.

4 J.N. Shive, “Semiconductor Devices”, Van Nostrand, 1959

5 A. L. Fahrenbruch and R. H. Bube. “Foundamentals of Solar Cells”. Academic Press, New York, 1983.

6 S. Witzack, R.D. Schrimpf, K.F. Galloway, D.M. Fleetwood, R.L. Pease, J.M. Puhl, D.M. Schmidt, W.E. Combs and J.S. Suehle, “Accelerated tests for simulating low dose rate gain degradation of lateral and substrate PNP bipolar junction transistors”, IEEE Trans. Nucl. Sci. , NS-43, 6, 3151 (1996).

7 V.A.J. Van Lint, T.M. Flanagan, R.E. Leadon, J.A. Naber and V.C. Rodgers, “Mechanisms of radiation effects in electronic materials”, Vol 1, John Wiley, NewYork (1980)

Кутилмоқда

№	Ҳавола номи
1	F.H.ATTIX,Dosimetry by Solid State Devices, NRL Report 5777, June 15, 1962.
2	J. Barth, “Modeling Space Radiation Environment”, 1997 IEEE NSREC Short Course.
3	M. A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, and E. D. Dunlop, “Solar cell efficiency tables (version 39),” Progress in Photovoltaics: Research and Applications, vol. 20, no. 1, pp. 12–20, Jan. 2012.
4	J.N. Shive, “Semiconductor Devices”, Van Nostrand, 1959
5	A. L. Fahrenbruch and R. H. Bube. “Foundamentals of Solar Cells”. Academic Press, New York, 1983.
6	S. Witzack, R.D. Schrimpf, K.F. Galloway, D.M. Fleetwood, R.L. Pease, J.M. Puhl, D.M. Schmidt, W.E. Combs and J.S. Suehle, “Accelerated tests for simulating low dose rate gain degradation of lateral and substrate PNP bipolar junction transistors”, IEEE Trans. Nucl. Sci. , NS-43, 6, 3151 (1996).
7	V.A.J. Van Lint, T.M. Flanagan, R.E. Leadon, J.A. Naber and V.C. Rodgers, “Mechanisms of radiation effects in electronic materials”, Vol 1, John Wiley, NewYork (1980)