ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕНОСА ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ n-GaP-p-(InSb)1-x(Sn2)x ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

Исследована вольт-амперная характеристика n-GaP-p-(InSb)_1-x(Sn₂)_x (0 £ х £ 0.05) гетероструктур. Показано, что при малых напряжениях V<0,5V вольт-амперная характеристика описывается экспоненциальным законом: I = I₀×exp (qV /ckT), а при больших – от 0,5 до 1,8 V степенными законами: I = A×V ^m с различными значениями коэффициента А и показателя степени m при различных напряжениях. При более высоких напряжениях – от 2.10 до 2.48 V наблюдается сублинейный участок, который описывается законом: V = V₀×exp(Iad / S). Результаты объясняются диффузионно-дрейфовым механизмом переноса тока в режиме диэлектрической релаксации, а также эффекта инжекционного обеднения.

The current-​voltage characteristic of n-GaP-p-(InSb)_1-x(Sn₂)_x (0 £ х £ 0.05) heterostructures has been studied. It has been shown that at low voltages V < 0.5 V, the current-​​voltage characteristic is described by the exponential law: I = I₀×exp (qV /ckT), and at large ones from 0.5 to 1.8 V power laws: I = A×V ^m  with different values ​​of the coefficient A and exponent m at various voltages. At higher voltages - from 2.10 to 2.48 V, a sublinear part is observed, which is described by the law: V= V₀×exp(Iad / S). The results are explained by the diffusion-drift mechanism of current transfer in the regime of dielectric relaxation, as well as the effect of injection depletion