Майда донли(
мкм dcr
1
) СdТе плёнкаларининг паст ҳароратли
) 2 . 4 ( K T
фотолюминесценция спектрларидакристалл доналар сиртида жойлашган
потенциал тўсиқлар ва LO – фононлитакрорланишлар натижасида юзага келадиган четки
хусусий (
h e
) нурланиш дублет чизиғи топилган. Плёнкани In киришма билан легирлаш
ушбу дублет полосанинг сўнишига, кейинги термик ишлов бериш эса, иссиқ
фототашувчиларнинг рекомбинацияси микропотенциал тўсиқлар баландлиги ва
хароратига боғлиқ бўлган спектрал (
мэВ A 17 6
) ярим кенглигига эга модуляцияланган
хусусий полосасининг кескин фаоллашувига олиб келади хамда ушбу нурланишнинг кескин
қизил чегаравий энергияли (
эВ м Er
29 16
) узун тўлқинлар томон силжийди.
В спектрах низкотемпературной
) 2 . 4 ( K T
фотолюминесценции
мелкозернистых (
мкм dcr
1
) пленок
CdTe
обнаружены полоса собственного (
h e
)
излучения, обусловленная приповерхностными потенциальными барьерами
кристаллических зерен, и краевая дублетная полоса, возникающая как
LO
фононные
повторения
h e
полосы.Легирование пленки примесью
In
приводит к тушению
дублетной полосы, а термическая обработка её - активации собственной полосы,
коротковолновое смещение красной границы (
эВ м Er
29 16
) и модуляция
полуширины (
мэВ A 17 6
) которой коррелированны с высотой микропотенциальных
барьеров и температурой рекомбинирующихся горячих фотоносителей
Майда донли(
мкм dcr
1
) СdТе плёнкаларининг паст ҳароратли
) 2 . 4 ( K T
фотолюминесценция спектрларидакристалл доналар сиртида жойлашган
потенциал тўсиқлар ва LO – фононлитакрорланишлар натижасида юзага келадиган четки
хусусий (
h e
) нурланиш дублет чизиғи топилган. Плёнкани In киришма билан легирлаш
ушбу дублет полосанинг сўнишига, кейинги термик ишлов бериш эса, иссиқ
фототашувчиларнинг рекомбинацияси микропотенциал тўсиқлар баландлиги ва
хароратига боғлиқ бўлган спектрал (
мэВ A 17 6
) ярим кенглигига эга модуляцияланган
хусусий полосасининг кескин фаоллашувига олиб келади хамда ушбу нурланишнинг кескин
қизил чегаравий энергияли (
эВ м Er
29 16
) узун тўлқинлар томон силжийди.
In thespectrum of lowtemperature
) 2 . 4 ( K T
photoluminescence ofthe fine-
grained (
m dcr
1
) thin
CdTe
films is discovered a band of theown (
h e
) radiation, specified by
the subsurface potential barriers on border of crystalline grains and marginal double-acting band,
appearing as
LO
phonons repetitions of the
h e
band. The alloyage of the filmby impurity
In
leads to stewingdouble-acting band, but itsfurther thermal processingto activation of the own band,
short-wave offset of the red border (
meV Er
29 16
) and modulation of the full width on half
maximum (
meV A 17 6
) which is correlated with by the height of the micro potential barriers
and temperature ofrecombined hot photocurrents.
№ | Муаллифнинг исми | Лавозими | Ташкилот номи |
---|---|---|---|
1 | Polvonov . . | ||
2 | Zaylobiddinov B.B. | ||
3 | Sultanov A.Q. | ||
4 | Abdulazizov . . |
№ | Ҳавола номи |
---|---|
1 | M.A. Karimov, N.X. Yuldashev. // Izv. RAN. Ser. fizich. T.71.№8, b 1186. 2007. |
2 | S.A. Permogorov, T.P. Surkova, A.N. Tenishev. // FTT.T.40. V. 5, b. 897. 1998. |
3 | B.J. Axmadaliyev, M.A. Karimov, B.Z. Polvonov, N.X. Yuldashev. Fizich.inj.poverx. 8(4), 358(2010). |