316

Работа посвящена исследованию вопросов разработки фотопреобразователей, 25 
называемых солнечными элементами. Проанализированы достоинства и недостатки 
фотопреобразователей, изготовленных на основе кристаллического, аморфного кремния, 
полупроводниковых соединений АIII BV ,а также многокомпонентных соединений со структурой 
халькопирита. Обоснована необходимость использования нетрадиционных полупроводниковых 
материалов или новых физических явлений для дальнейшего повышения основных параметров 
фотоэлементов.  

  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 13-01-2021
  • Ўқишлар сони 299
  • Нашр санаси 13-01-2021
  • Мақола тилиRus
  • Саҳифалар сони24-33
Русский

Работа посвящена исследованию вопросов разработки фотопреобразователей, 25 
называемых солнечными элементами. Проанализированы достоинства и недостатки 
фотопреобразователей, изготовленных на основе кристаллического, аморфного кремния, 
полупроводниковых соединений АIII BV ,а также многокомпонентных соединений со структурой 
халькопирита. Обоснована необходимость использования нетрадиционных полупроводниковых 
материалов или новых физических явлений для дальнейшего повышения основных параметров 
фотоэлементов.  

Ўзбек

 Жараѐн қуѐш элементлари деб аталадиган фотоўзгартгичларни 
ривожланишини ўрганишга бағишланган. Кристалл, аморф кремний, AIII BV яримўтказгичли 
бирикмалар, шунингдек киришмавий тузилишига эга кўп компонентли бирикмалар асосида 
яратилган фотоўзгартгичларнинг афзалликлари ва камчиликлари таҳлил қилинган. 
Фотоэлементларнинг асосий параметрларини янада ошириш учун ноанъанавий яримўтказгич 
материаллардан ѐки янги физик ҳодисалардан фойдаланиш зарурати асосланади. 

English

The work is devoted to the study of the development of photoconverters called solar 
cells. The advantages and disadvantages of photoconverters made on the basis of crystalline, amorphous 
silicon, semiconductor compounds AIII BV, as well as multicomponent compounds with chalcopyrite 
structure. The necessity of using non-traditional semiconductor materials or new physical phenomena to 
further increase the basic parameters of photocells is substantiated. 

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Ubaydullayeva D.R.
2 Usmonov J.I.
№ Ҳавола номи
1 1. Мирзиѐев Ш.М. Доклад на расширенном заседание КМ. 14 января 2017 года. Газета «Бухарский вестник» № 6-7(21.954), 18.01.2017 г.
2 2. Progress and outlook for high-efficiency crystalline silicon solar cells / M.A. Green [et al] // Solar Energy Materials and Solar Cells. – 2001. – Vol. 65. – P. 9-16
3 3. Green, M.A. Crystalline and thin film silicon solar cells: state of the art and future potential / M.A. Green // Solar Energy. – 2003. – Vol. 74. – P. 181-198
4 4. Siebentritt, S. Wide gap chalcopyrites: material properties and solar cells / S. Siebentritt // Thin Solid Films. – 2002. – Vol. 403-404. – P. 1–8
5 5. Potential of amorphous and microcrystalline silicon solar cells / J. Meier // Thin Solid Films. – 2004. – Vol. 451–452. P. 518–524
6 6. Каган М.Б. Определение рекомбинационных параметров и глубины залегания p-n-перехода в полупроводниковых фотоэлементах / М.Б. Каган, Т.Л. Любашевская // Гелиотехника. – 1968. – № 4. – С. 11– 15.
7 7. Диагностика кремниевых пластин по параметрам и тепловому излучению элементов солнечных батарей / Ю.А. Концевой [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. – 2000. – Т. 66, № 10. – C. 32–33
8 8. Су башиев, В.К. Определение рекомбинационных постоянных и глубины залегания p-n-перехода из спектральных характеристик фотоэлементов / В.К. Субашиев, Г.Б. Дубровский, В.А. Петрусевич // Физика Tвѐрдого Tела. – 1960. – Т. 2, № 8. – С. 1978–1980.
9 9. Kazmerski, L.L. Photovoltaics: A review of cell and module technologies / L.L. Kazmerski // Renewable and Sustainable Energy Reviews. – 1997. – Vol. 1, № 1,2. – P. 71–170
10 10. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики / C. Фонаш [и др.]; под ред. Т. Коутса, Дж. Микина. – М.: Мир, 1988, 306 с
Кутилмоқда