429

Бир  вақтда  ёруғлик  ва  кучли  ЎЮЧ  (ўта юқори  частотали) майдон 
таъсир қилганда p-n-ўтиш ВАХ(волт-ампер характеристика) ноидеаллик коэффициенти 
ўзгаришининг янада сезгир бўлиши кўрсатилган.   ЎЮЧ ва ёруғлик таъсирида p-n-ўтишда 
рекомбинацион  ва  генерацион  жараёнлар  пайдо  бўлиши  ва  уларнинг  ноидеаллик 
коэффициентига кучли таъсир қилиши аниқланди. 

  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 25-01-2021
  • Ўқишлар сони 379
  • Нашр санаси 25-01-2021
  • Мақола тилиO'zbek
  • Саҳифалар сони42-49
Ўзбек

Бир  вақтда  ёруғлик  ва  кучли  ЎЮЧ  (ўта юқори  частотали) майдон 
таъсир қилганда p-n-ўтиш ВАХ(волт-ампер характеристика) ноидеаллик коэффициенти 
ўзгаришининг янада сезгир бўлиши кўрсатилган.   ЎЮЧ ва ёруғлик таъсирида p-n-ўтишда 
рекомбинацион  ва  генерацион  жараёнлар  пайдо  бўлиши  ва  уларнинг  ноидеаллик 
коэффициентига кучли таъсир қилиши аниқланди. 

Русский

Показано,  что  изменение  коэффициента  неидеальности 
вольтамперной  характеристики  p-n  перехода    является  более  чувствительным,  когда 
одновременно действует  свет и мощное СВЧ поле. Установлено, что под действием СВЧ 
поля  и  света  возникают  на  p-n-переходе  рекомбинационные  и  генерационные  процессы, 
которые сильно влияют на коэффициент неидеальности. 

English

It  is shown  that the change  in the non-ideality coefficient of the voltage-current 
characteristic of the p– n junction is more sensitive when light and a powerful microwave field act 
simultaneously.  It  has  been  established  that,  under  the  action  of  the microwave  field  and  light, 
recombination  and  lasing  processes  arise  on  the  p  – n  junction, which  strongly  influence  on  the 
nonideality coefficient.

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Gulyamov G..
2 Dadamirzayev M.G.
3 Kosimova M.O.
№ Ҳавола номи
1 SHokli V. Teoriya elektrichekix poluprovodnikov. Per. s angl. Pod red. V. P.Juze. M., izd-vo inostr. lit., 1953.-186s.
2 Sah. C.T., Noyce. R.H., Shockly W. Carrier Generation and Recombination in p-n- Junctions and p-n-Junctions Characteristics// Proceedings of the IRE, 1957. -vol.45, №9. - pp.1228-1243.
3 Ashmontas S.P., Olekas A.P., SHirmulis E.I. Vliyanie razogreva nositeley zaryada na vid VAX p-n-perexoda germaniya// Fizika i texnika poluprovodnikov.– Sankt Peterburg, 1985.- t.29. №5. -S. 807-809.
4 Ablyazimova N.A.,Veynger A.I., Pitanov V.Elektricheskie svoystva kremnievix r-n- perexodov v silnix SVCH polyax// Fizika i texnika poluprovodnikov. – Leningrad, 1988.- t.22. № 11. – S. 2001-2007.
5 Usanov D.A., Skripal A.V., Kletsov A.A., Abramov A.V., Ilin S.N. Otritsatelnoe differensialnoe soprotivlenie N-tipa lavinno-proletnix diodov v silnom SVCH-pole// Izvestiya vuzov. Elektronika. Rossiya, 2003. №4. str.5–12
6 N.A.Ablyazimova, A.I.Veynger, V.S.Pitanov
7 Gulyamov G., Dadamirzaev M.G. Heating of the Electrons and the Rectified Current at the Contacts That Are in an Alternating Electromagnetic Field // World Journal of Condensed Matter Physics–USA, 2015, - Vol. 5, No.1, rr. 48-53.
8 Shamirzaev S.H., Gulyamov G., Dadamirzaev M.G., Gulyamov A.G. The Nonideality Coefficient of Current–Voltage Characteristics for p–n Junctions in a High Ultrahigh- Frequenc (Microwave) Field// Semiconductors. –USA, 2009. -vol. 43. №1. -pp. 47–51.
9 Pikus G.E. Osnovi teorii poluprovodnikovix priborov. -Moskva: Nauka, 1965. - 448s.
Кутилмоқда