491

Янги технология билан олинган марганец силицид қатламларининг солиштирма қаршилигини ўлчаш учун тўрт зондли методни қўллаш натижалари баён қилинган.

  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 23-06-2021
  • Ўқишлар сони 490
  • Нашр санаси 17-09-2014
  • Мақола тилиO'zbek
  • Саҳифалар сони16-18
Ўзбек

Янги технология билан олинган марганец силицид қатламларининг солиштирма қаршилигини ўлчаш учун тўрт зондли методни қўллаш натижалари баён қилинган.

Русский

Описаны результаты применения четырехзондового метода для определения удельного сопротивления нового материала – силицида марганца.

English

The authors of this article try to describe the results of application of four zond method for definition of specific resistance of a new material - manganese silicide.

Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
Ҳавола номи
1 1. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл – полупроводник.- М.: Мир, 1975. 2. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов.- М.: Высшая шко- ла, 1986. 3. Адамбаев К., Камилов Т.С. О роли силицидных пленок в формировании фотоэлектрических свойств кремния, легированного марганцем. // Всесоюзная конференция по фотоэлектрическим явле- ниям в полупроводниках. Сборник тезисов докладов.- Т., 1989.
Кутилмоқда