428

 

1,1 эВ фотон энергияли соҳа чегарасига ва As-Ge, Gе-Ge и Ga-Ge
бирикмаларининг учта ташкил этувчиларига эга бўлган умумий Гаус чизиғи кўрсатилди.
(GaAs)1-х(Ge2)x эпитаксиал қатлам сиртида нанооролчалар Ge кришма атомлари туфайли
пойдо бўлиши аниқланди
 

  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 04-11-2021
  • Ўқишлар сони 428
  • Нашр санаси 15-01-2020
  • Мақола тилиO'zbek
  • Саҳифалар сони17-21
Русский

 

Аннотация:Показано, что в спектре общей гауссовской линии, имеется крайняя
длинноволновая область с энергией фотонов 1,1 эВ и трех компонент, соответствующих
НамДУ илмий ахборотномаси - Научный вестник НамГУ 2020 йил 1-сон
59
соединениям As-Ge, Gе-Ge и Ga-Ge. Определено, что наноостровки на поверхности
эпитаксиального слоя (GaAs)1-х(Ge2)x обусловлены примесными атомами.
 

English

 

It is shown that in the spectrum of the main Gaussian line and there is the
extreme long-wave region with the photon energy of 1.1 eV and three components corresponding to
the connection As-Ge, Gt-Ge and Ga-Ge. It is determined that nanostructures on the surface of the
epitaxial layer (GaAs)1-х(Ge2)x are caused by impurity Ge atoms.
 

Ўзбек

 

1,1 эВ фотон энергияли соҳа чегарасига ва As-Ge, Gе-Ge и Ga-Ge
бирикмаларининг учта ташкил этувчиларига эга бўлган умумий Гаус чизиғи кўрсатилди.
(GaAs)1-х(Ge2)x эпитаксиал қатлам сиртида нанооролчалар Ge кришма атомлари туфайли
пойдо бўлиши аниқланди
 

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Boboyev A.Y. O'qituvchi Andijan State University
2 Usmanov J.N. O'qituvchi Andijan State University
3 Mahmudov X.A. O'qituvchi Andijan State University
4 Urinboyev M.I. O'qituvchi Andijan State University
5 Tojimuhammadov A.K. O'qituvchi Andijan State University
№ Ҳавола номи
1 С.С. Хлудков. Вестник Томского Государственного университета общенаучный периодический журнал. № 285, 2005, ст. 84-94.
2 M.S. Saidov. Low-temperature crystallization of semiconductor solid solutions that are promising for the realization of the extrinsic thermo photovoltaic effect. Applied Solar Energy. 2007, vol. 43, no 1, pp 45-48.
3 Журавлев К.С., Чикичев С.И., Штаске Р., Якушева Н.А. ФТП, 1990, Том 24, вып. 9. Ст.1645-1649.
4 S.Z. Zaynabidinov et al. Growth, Structure, and Properties of GaAs-Based (GaAs)1-xy(Ge2)x(ZnSe)y Epitaxial Films. Semiconductors, 2016, vol. 50, no. 1, pp. 59-65.
5 Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov. J. Appl. Phys., 109, 123 107 (2011).
6 И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь.. ФТП, 1999, том 33, вып 6, ст. 697-700.
7 В.П. Хвостиков, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный, Э.В. Олива, М.Э. Шварц, О.А. Хвостикова. Фотообразователи на основе GaAs/Ge гетероструктур, полученных методом низко температурной ЖЭФ. Письмо в ЖТФ.2003. 29(14) стр. 46-49
8 Дубровский В.Г., Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. С. 486, (Москва:Физматлит: 2009).
Кутилмоқда