281

разработан новый метод исследования влияния высокого давления на уровни электронов Ландау в полупроводниках. Исследовано влияние давления на осцилляции эффектов Шубникова - де Гааза и де Гааз - ван Альфена в полупроводниках. Теоретические результаты сравниваются с экспериментальными результатами. Показано, что влияниедавления на ширину запрещенной зоны существенно проявляется на величине осцилляций в ффектах Шубникова - де Гааза и де Гааз - ван Альфена в полупроводниках.

  • Ўқишлар сони 0
  • Нашр санаси 25-02-2020
  • Мақола тилиRus
  • Саҳифалар сони27-39
Русский

разработан новый метод исследования влияния высокого давления на уровни электронов Ландау в полупроводниках. Исследовано влияние давления на осцилляции эффектов Шубникова - де Гааза и де Гааз - ван Альфена в полупроводниках. Теоретические результаты сравниваются с экспериментальными результатами. Показано, что влияниедавления на ширину запрещенной зоны существенно проявляется на величине осцилляций в ффектах Шубникова - де Гааза и де Гааз - ван Альфена в полупроводниках.

Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Erkaboev U.I. профессор Namangan Engineering-Construction Institute
Ҳавола номи
Кутилмоқда