488

Нашриёт ҳақида маълумот

Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электрон почта: ispm_uz@mail.ru

Номи 2020, том 2, выпуск 1
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Том рақами 2
Нашр этилган сана 25/02/2020
Саҳифалар сони 72
Бу йилдаги нашр тартиб рақами 1
Умумий сони 6
Файл
Кутилмоқда
Макола тўлиқ номи Тил Саҳифа Кўришлар сони Ўқишлар сони

ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ НА МЕХАНИЧЕСКИЕ И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОХЛАЖДАЮЩИХ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ВИСМУТА И СУРЬМЫ

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Rus 9-22 366 0

ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО СЕРОЙ

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Rus 17-27 287 0

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Rus 23-30 255 0

ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА УРОВНИ ЛАНДАУ ЭЛЕКТРОНОВ В ЗОНЕ ПРОВОДИМОСТИ С ПАРАБОЛИЧЕСКИМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Rus 27-39 280 0

РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ФОРМИРОВАНИЯ СПЕКТРА В ДЕТЕКТОРАХ НА ОСНОВЕ Si(Li) СТРУКТУР ПРИ ГАММА ОБЛУЧЕНИИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Rus 34-42 320 0