Бош саҳифа
Журналлар
Муаллифлар
Мақолалар
Янгиликлар
O'zbek
Руский
Инглиз тили
Кириш
FEATURES OF SILICON p-n STRUCTURES WITH A LARGE SENSITIVE SURFACE AND A VOLUME CHARGE AREA
Бош саҳифа
Мақолалар
FEATURES OF SILICON p-n STRUCTURES WITH A LARGE SENSITIVE SURFACE AND A VOLUME CHARGE AREA
284
Журнал номи
Физика полупроводников и микроэлектроника
Нашр номи
2020, том 2, выпуск 3
Кўришлар сони
284
Internet ҳавола
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss3/5/
DOI
UzSCI тизимида яратилган сана
27-03-2022
Ўқишлар сони
0
Нашр санаси
25-06-2020
Мақола тили
Ingliz
Саҳифалар сони
23-26
Калит сўзлар
Аннотациялар
Муаллифлар
Фойдаланилган адабиётлар
Ҳужжатни онлайн кўриш
№
Муаллифнинг исми
Лавозими
Ташкилот номи
1
Muminov R.A.
scienstist
Physical-Technical Institute SPA “Physics-Sun” of ASUz
№
Ҳавола номи
Кутилмоқда