679
Нашриёт ҳақида маълумот
Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электрон почта: ispm_uz@mail.ru
| Номи | 2020, том 2, выпуск 3 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Том рақами | 2 | ||
| Нашр этилган сана | 25/06/2020 | ||
| Саҳифалар сони | 70 | ||
| Бу йилдаги нашр тартиб рақами | 3 | ||
| Умумий сони | 6 | ||
| Файл | |||
| Макола тўлиқ номи | Тил | Саҳифа | Кўришлар сони | Ўқишлар сони |
|---|---|---|---|---|
|
DIFFUSION OF CLUSTERS OF IMPURITY NICKEL ATOMS IN A SILICON LATTIC Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 9-12 | 211 | 0 |
|
DEFECT FORMATION DURING LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF SILICON DOPED WITH ION IMPURITIES Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 13-16 | 227 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 17-19 | 180 | 0 |
|
FERMI THEORY ON DIMENSION EFFECTS IN MULTIPLE EXCITON GENERATION Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 20-22 | 207 | 0 |
|
FEATURES OF SILICON p-n STRUCTURES WITH A LARGE SENSITIVE SURFACE AND A VOLUME CHARGE AREA Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 23-26 | 254 | 0 |