Бош саҳифа
Журналлар
Муаллифлар
Мақолалар
Янгиликлар
O'zbek
Руский
Инглиз тили
Кириш
DEFECT STRUCTURE OF SILICON WITH AN IMPURITY OF TUNGSTEN UNDER THE INFLUENCE OF EXTERNAL FACTORS
Бош саҳифа
Мақолалар
DEFECT STRUCTURE OF SILICON WITH AN IMPURITY OF TUNGSTEN UNDER THE INFLUENCE OF EXTERNAL FACTORS
255
Журнал номи
Физика полупроводников и микроэлектроника
Нашр номи
2020, том 2, выпуск 3
Кўришлар сони
255
Internet ҳавола
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss3/9/
DOI
UzSCI тизимида яратилган сана
27-03-2022
Ўқишлар сони
0
Нашр санаси
25-06-2020
Мақола тили
Ingliz
Саҳифалар сони
40-42
Калит сўзлар
Аннотациялар
Муаллифлар
Фойдаланилган адабиётлар
Ҳужжатни онлайн кўриш
№
Муаллифнинг исми
Лавозими
Ташкилот номи
1
Daliev S.K.
scienstist
Semiconductor Physics and Microelectronics Research Institute
№
Ҳавола номи
Кутилмоқда