Бош саҳифа
Журналлар
Муаллифлар
Мақолалар
Янгиликлар
O'zbek
Руский
Инглиз тили
Кириш
STUDY OF STRUCTURAL DISORDERING OF SILICON IONIC IMPLANTED WITH MANGANESE BY THE METHOD OF COMBINATION LIGHT SCATTERING (RS).
Бош саҳифа
Мақолалар
STUDY OF STRUCTURAL DISORDERING OF SILICON IONIC IMPLANTED WITH MANGANESE BY THE METHOD OF COMBINATION LIGHT SCATTERING (RS).
198
Журнал номи
Физика полупроводников и микроэлектроника
Нашр номи
2020, том 2, выпуск 3
Кўришлар сони
198
Internet ҳавола
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss3/13/
DOI
UzSCI тизимида яратилган сана
27-03-2022
Ўқишлар сони
0
Нашр санаси
25-06-2020
Мақола тили
Ingliz
Саҳифалар сони
56-59
Калит сўзлар
Аннотациялар
Муаллифлар
Фойдаланилган адабиётлар
Ҳужжатни онлайн кўриш
№
Муаллифнинг исми
Лавозими
Ташкилот номи
1
Arzikulov E..
scienstist
Samarkand State University
№
Ҳавола номи
Кутилмоқда