Бош саҳифа
Журналлар
Муаллифлар
Мақолалар
Янгиликлар
O'zbek
Руский
Инглиз тили
Кириш
INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Бош саҳифа
Мақолалар
INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
319
Журнал номи
Физика полупроводников и микроэлектроника
Нашр номи
2020, том 2, выпуск 4
Кўришлар сони
319
Internet ҳавола
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss4/2/
DOI
UzSCI тизимида яратилган сана
28-03-2022
Ўқишлар сони
0
Нашр санаси
25-08-2020
Мақола тили
Ingliz
Саҳифалар сони
14-17
Калит сўзлар
Аннотациялар
Муаллифлар
Фойдаланилган адабиётлар
Ҳужжатни онлайн кўриш
№
Муаллифнинг исми
Лавозими
Ташкилот номи
1
Daliev S.K.
scienstist
Semiconductor Physics and Microelectronics Research Institute
№
Ҳавола номи
Кутилмоқда