596
Нашриёт ҳақида маълумот
Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электрон почта: ispm_uz@mail.ru
| Номи | 2020, том 2, выпуск 4 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Том рақами | 2 | ||
| Нашр этилган сана | 25/08/2020 | ||
| Саҳифалар сони | 69 | ||
| Бу йилдаги нашр тартиб рақами | 4 | ||
| Умумий сони | 6 | ||
| Файл | |||
| Макола тўлиқ номи | Тил | Саҳифа | Кўришлар сони | Ўқишлар сони |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 9-13 | 251 | 0 |
|
INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 14-17 | 346 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 18-21 | 227 | 0 |
|
PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 22-24 | 276 | 0 |
|
STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 25-28 | 266 | 0 |