Бош саҳифа
Журналлар
Муаллифлар
Мақолалар
Янгиликлар
O'zbek
Руский
Инглиз тили
Кириш
CRITERIA FOR OBTAINING COMPENSATED NICKEL SILICON
Бош саҳифа
Мақолалар
CRITERIA FOR OBTAINING COMPENSATED NICKEL SILICON
231
Журнал номи
Физика полупроводников и микроэлектроника
Нашр номи
2020, том 2, выпуск 4
Кўришлар сони
231
Internet ҳавола
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss4/10/
DOI
UzSCI тизимида яратилган сана
28-03-2022
Ўқишлар сони
0
Нашр санаси
25-08-2020
Мақола тили
Ingliz
Саҳифалар сони
45-47
Калит сўзлар
Аннотациялар
Муаллифлар
Фойдаланилган адабиётлар
Ҳужжатни онлайн кўриш
№
Муаллифнинг исми
Лавозими
Ташкилот номи
1
Nasriddinov S.S.
Deputy Director
Semiconductor Physics and Microelectronics Research Institute
№
Ҳавола номи
Кутилмоқда