INVESTIGATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON AND CADMIUM TELLURIDE BASED STRUCTURES PROPERTIES

p-CdTe-SiO2-SI гетероструктурани чуқур ушлагич (сатҳ) ва ассиметрик микро потенциал тўсиқларнинг мавжудлиги оптик спектрал эсда олиш қобилиятига ижобий таъсир этиши кузатилган. Унда эса олиш қобилиятининг релаксация вақти 25 суткани ташкил этади. Бундай гетероструктуранинг  нафақат синганларни эсда олиб қолиши, балки уларни йиғиш қобилиятига эга бўлган оптоэлектрон спектрал ячейкалар сифатида ҳам фойдаланиш мумкинлиги кўрсатилган.

В данной статье изучены фотоэлектрические свойства гетероструктур,  основанных  на CdTe-SiO2-Si. Впервые показана возможность контроля спектра короткого замыкания тока и фото –EMF с использованием свойственного заряду диэлектрика (SiO2). Установлено, что время релаксации способности получения в нем составляет 25 суток. Показано, что данная гетероструктура запоминает не только сломанные, но и вощ\зможность использования в качестве оптоэлектронных спектральных ячеек, обладающих способностью их сборки.

In this paper the photoelectric properties of heterostructures based on CdTe - SiO2 – Si are studied. The possibility to control of spectrum of short-circuit current and photos - EMF using built-in charge in the dielectric (SiO2) is demonstrated for the first time. It has been found that with the increase in capacity of the corona discharge in the shortwave spectrum of the shifted region of the spectrum from 0.93 to 1.5eV, and the activation energy of deep level of 0.73eV varies considerably, and this change is due to the Poole – Frenkel effect. It has been found, the electric field in the vicinity of the defect ε=105 V/cm.