409

Икки потенциал тўсиқли ўлчамли квантлашган ўрали структурада микрозарранинг ўтиш коэффициенти ҳисобланган ва потенциал тўсиқ орқали ўтиш вақти назарий таҳлил қилинган.

  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 05-08-2022
  • Ўқишлар сони 0
  • Нашр санаси 27-09-2016
  • Мақола тилиO'zbek
  • Саҳифалар сони14-17
Ўзбек

Икки потенциал тўсиқли ўлчамли квантлашган ўрали структурада микрозарранинг ўтиш коэффициенти ҳисобланган ва потенциал тўсиқ орқали ўтиш вақти назарий таҳлил қилинган.

Русский

Теоретически изучено прохождение электронов через полупроводниковые структуры с двумя потенциальными барьерами, разделенных размерно-квантованной ямой.

English

In the article theory the passage of electrons through a semiconductor structure with two potential barriers separated by dimensional-quantized well is theoretically studied.

№ Ҳавола номи
1 1. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика (нерелятивистская теория) Т.III. – М.: Физматлит. 2004, – 800 с. ISBN5-9221-0058-2 (Т.III).
2 2. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. – М.: Наука, 1978. 616 с.
3 3. Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Ивченко Е.Л., Левинштейн И.М., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А.. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах. СПб. Наука. 2000. - 324 с.
4 4. Bastard G. Wave mechanics applied to semiconductors heterostructures. Les Uliss: Les Editions the Physique. 1988. -380 p.
Кутилмоқда