402

Мазкур мақолада вакуумда буғлатиб олинган Bi, Sb ва Te аралашмалари асосида тип
яримўтказгич юпқа пардалар электрофизик хусусиятларининг таглик  ҳароратига боғлиқлиги ўрганилган.  

  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 08-08-2022
  • Ўқишлар сони 0
  • Нашр санаси 08-08-2017
  • Мақола тилиO'zbek
  • Саҳифалар сони9-12
Ўзбек

Мазкур мақолада вакуумда буғлатиб олинган Bi, Sb ва Te аралашмалари асосида тип
яримўтказгич юпқа пардалар электрофизик хусусиятларининг таглик  ҳароратига боғлиқлиги ўрганилган.  

Русский

В статье исследована зависимость электрофизических свойств полупроводниковых тонких пленок 
типа на основе Bi, Sb и Te от температуры подложек. 

English

In this article dependence electrophysical characters of P-type semiconductor fine films on base of the 
admixtures Bi, Sb and Te from the temperature substrate is explored. 

№ Ҳавола номи
1 Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. – М.: Наука, 1972.
2 Абдуллаев Э.А., Юлдашев Н.Х. Эффект пьезосопротивления в халькогенидах свинца и висмута. – Т.: Фан, 1989.
3 Абдуллаев Э.А., Ахмедов М.М., Онаркулов К.Э. Влияние состава и структуры на свойства пленок (Bi1-x Sbx)Te3. // Узбекский физический журнал. – 1995,№ 4.
Кутилмоқда