СПЕКТРЫ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА ПЛЕНОК СЕЛЕНИДА КАДМИЯ

Кадмий-селенид пленкаларида к,аттик, фазалар билан бир каторда
аморфли структураларнинг мавжудлиги материалнинг электрофизик
хусусиятларига жуда катта таъсир к,илади. Ушбу тадк,и^от ишида монокристалли
кремний сиртида вакуумда парлантириш йули билан хосил к,илинган CdSe
пленкаларининг фазавий утишларга таъсири атрофлича урганилган.
Тадк,ик,отлар InVia Raman Spectrometer да, RL785 Class ЗВ Laser лазерида амалга
оширилган булиб, туль^ин узунлиги 785 нм булган лазер нури кулланилган.

Presence, alongside with crystalline, amorphous phase in film covering from
cadmium selenic cardinaly influences to electrophysical features of the material. In this
presented work is organized identification these phase conditions for sample
monocristal silicon, with film covering from cadmium selenic CdSe, precipitated by
method of the vacuum evaporation. The studies was conducted with use spectroscopy
of combinational dissipation of the light on InVia Raman Spectrometer at excitement
line RL785 Class 3B Laser laser, with wavelength of the radiation 785 nm.

Наличие, наряду с кристаллической, аморфной фазы в пленочном
покрытии из селенида кадмия, кардинально влияет на электрофизические
характеристики материалов. В настоящей работе проведена идентификация этих
фазовых состояний для образцов монокристаллического кремния, с пленочным покрытием из селенида кадмия CdSe, осажденные методом вакуумного
испарения. Исследования проводилось с использованием спектроскопии
комбинационного рассеяния света на InVia Raman Spectrometer при возбуждении
линиями RL785 Class ЗВ Laser лазера, с длиной волны излучения 785 нм.