216

Впервые разработана математишеская модель определения влияния поглощения микроволнового излушения на температурную зависимость осчиллячии Шубникова-де Гааза в полупроводниках. На основании предложенной математишеской модели выведены с использованием экспериментальных результатов осчиллячии поглощение микроволнового излушения в полупроводниковых структурах при высоких температурах

  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 24-11-2022
  • Ўқишлар сони 216
  • Нашр санаси 12-11-2020
  • Мақола тилиRus
  • Саҳифалар сони27-35
Русский

Впервые разработана математишеская модель определения влияния поглощения микроволнового излушения на температурную зависимость осчиллячии Шубникова-де Гааза в полупроводниках. На основании предложенной математишеской модели выведены с использованием экспериментальных результатов осчиллячии поглощение микроволнового излушения в полупроводниковых структурах при высоких температурах

Ўзбек

Birinchi marta yarimo’tkazgichlarda Shubnikov-dе Gaaz ossillyasiyalarining haroratga bog’liqligiga mikroto’lqinli elеktromagnit maydon ta`sirini aniqlashning matеmatik modеli ishlab chiqilgan. Taklif etilayotgan modеlga asosan, yarimo’tkazgichli strukturalarda mikroto’lqinli maydon ta`siridagi ekspеrimеnt natijalari yuqori haroratlarda tushuntirish imkoni paydo bo’lgan

English

For the first time, a mathematical model has been developed to determine the effect of absorption of microwave radiation on the temperature dependence of the Shubnikov-de Haas oscillations in semiconductors. Based on the proposed mathematical model, the absorption of microwave radiation in semiconductor structures at high temperatures was derived using the experimental oscillation results.

Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Erkabayev U.I. fizika-matеmatika fanlari doktori, Namangan muhandislik – texnologiya instituti
2 Raximov R.G. katta o’qituvchi Namangan muhandislik texnologiyasi instituti
Ҳавола номи
1 Alhun Aydin, Altug Sisman. Quantum oscillations in confined and degenerate Fermi gases. I. Half-vicinity model // Physics letters A. 2018. Vol.382. pp.1807-1812.
2 Klaus von Klitzing. 25 Years of quantum Hall effect (QHE): A personal view on the discovery, physics and applications of this quantum effect // Seminaries Poincare. 2004. Vol.2, pp.1-10.
3 Bagraev N.T., Grigoryev V.Yu., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Mashkov V.A., Romanov V.V., Rul` N.I. High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches // Low temperature physics, 2017. Vol.43, No.1, pp.132-142.
4 Kazuma Eto, Zhi Ren, Taskin A.A, Kouji Segawa, Yoichi Ando. Angular-dependent oscillations of the magnetoresistance in Bi2Se3 due to the three-dimensional bulk Fermi surface // Phys.Rev. В, 2010. Vol.81, Iss.19. pp.5309-5310.
5 Schoenberg D. Magnetic oscillations in metals. New York, Wiley. 1986. pp.350-400.
6 Veinger A.I., Kochman I.V., Okulov V.I., Andriichuk M.D., Paranchich L.D. Microwave magnetoabsorption oscillations in Fe- doped HgSe crystals // Semiconductors. 2018. Vol.52, Iss.8, pp.980-985.
7 ЭркабоевУ.И.Влияние температуры и давления на осчиллячионные явления в полупроводниках в квантующем магнитном поле: Дис. доктора философии (PhD) по физико-математишеским наукам – Ташкент: АНРУз ФТИ, 2017.-144 с.
8 Гулямов‖ Г.,‖Шарибаев‖ Н.Ю.,‖ Эркабоев‖ У.И.‖ Температурная‖ зависимость‖ плотности‖ состояний‖в‖полупроводниках.‖Наманган.‖«Наманган»‖изд.‖2015.‖210‖С.
9 Bass F., Bochkov V.S., Gurevich Yu.G. Electrons and phonons in limited semiconductors. Moscow,‖‚Science‛.‖1984‖y.‖250‖P.
10 Чидилковский‖И.М.‖Электроны‖и‖дырки‖в‖полупроводниках.‖М.,‖«Наука»,‖1972,‖с.‖ 447
11 Anselm A.I. Introduction to the theory of semiconductors. (Nauka, Moscow, 1978), Ch. 8, pp.492.
12 Pässler‖R.‖Parameter‖sets‖due‖to‖fittings‖of‖the‖temperature‖dependencies‖of‖fundamental‖ band gaps in semiconductors // Phys.stat. sol.(b). 1999. Vol.216. pp.975-990
13 Капустин‖А.А.,‖Столяров‖В.С.,‖Божко‖С.И.,‖Борисенко‖Д.Н.,‖Колесников‖Н.Н.‖ Поверхностная‖природа‖квазидвумерных‖осчиллячий‖Шубникова-де‖Гааза‖в‖Bi2Te2Se // ЖЭТФ.‖2015.‖Т.148.‖вып.‖2(8).‖С.321-332
Кутилмоқда