Мақолада электрон нурлари оқими таъсирида ҳосил бўлган нуқсон ва киришмали ҳолатларнинг ҳосил бўлиш механизмлари муҳокама қилинади.
Мақолада электрон нурлари оқими таъсирида ҳосил бўлган нуқсон ва киришмали ҳолатларнинг ҳосил бўлиш механизмлари муҳокама қилинади.
В статье обсуждается механизмы образования примесных состояний и дефектов образованных в процессе электронного облучения.
The mechanisms of formation of impurity states and defects formed in the process of electron irradiation are discussed in the article.
№ | Муаллифнинг исми | Лавозими | Ташкилот номи |
---|---|---|---|
1 | Olimov L.O. | professor | Andijon mashinasozlik instituti |
2 | Madaminov Z.K. | ||
3 | Sohibova Z.M. | ||
4 | Yusupov E.E. | ||
5 | Omonboyeva M.L. |
№ | Ҳавола номи |
---|---|
1 | 1. Ильдус И.И. Исследование путей повышения радиационной стойкости солнечных элементов методом ионной имплантации и применением концентрированного солнечного излучения, //Автореферат дисс., 1997. 2. Олимов Л.О., Абдурахманов Б.М., Омонобоев Ф.Л., Юсупов А.Х., Сохибова З.М. Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов. //Журнал Физическая инженерия поверхности. Украина. 2016, т.1, №3, С.263-267. 3. Abdurakhmanov B., Olimov L.O., Abdurazzakov F. S., and Z. N. Alad’ina. Silicon solar cells exposed to electron bombardment: Thermovoltaic properties. //Applied Solar Energy. 2010, vol. 46. №2, р.161÷163. [01.00.00, №3]. 4. Абдурахманов Б.М., Олимов Л.О. Обнаружение примесных вольтаических эффектов в монокристаллических кремниевых солнечных элементах. // ЎзР ФА маърузалари.- 2009.- №1.- С.26-29. [01.00.00, №7] 5. Олимов Л.О. Абдурахманов Б.М., Абдураззақов Ф.С. Обнаружение примесных тепловольтаических и теплофотовольтаических эффектов в монокристаллических кремниевых солнечных элементах подвергнутых электронному облучению. // Ўзбекистон физика журнали.- 2009.- №.5-6.- С.384-387. [01.00.00, №5] 6. Олимов Л.О., Абдурахманов Б.М., Омонбоев Ф.Л. Переключение тока и напряжения при нагреве беспереходного поликристаллического кремния, легированного щелочными металлами в области межзеренных границ. //Журнал Физическая инженерия поверхности. Украина. 2014, т.12, №1, С.4-8. 7. Olimov L.O. Model of the Grain Boundary in p-n Structures Basedon Polycrystalline Semiconductors. //Applied Solar Energy ISSN 0003-701X. 2010, vol. 46. №2, р.118÷121. 8. Olimov L.O., Abdurakhmanov B.M., Omonboev F.L. Some Features of the Transport of Charge Carriers in the Grain Boundaries of Polycrystalline Silicon.//International Journal of Advanced Research in Physical Science (IJARPS). Volume 1, Issue 6, October 2014, PP 12-17. 9. Олимов Л.О. Межзеренные границы в поликристаллическом кремнии: микроструктура, зарядовые состояния и р-n – переходы. Дисс… докт. ф.-м. наук..- Т., 2016. 10. Абдурахманов Б.М., Чирва В.П., Саидов М.С., Олимов Л.О. Некоторые особенности формирования р-n структура на поликристаллическом кремнии ионной имплантацией щелочных металлов. //Гелиотехника №5, С.78-83, 1998. 11. Zaynabidinov S., Aliev R., Olimov L.O. «High temperature features of the polycrystalline silicon physical properties». //ISSN 0503-1265. Ukr. J.Phys. 2006, V.51. N 7. р. 699÷702. 12. B. M. Abdurakhmanov, L. O. Olimov, and M. S. Saidov.Electrophysical Properties of Solar Polycrystalline Silicon and Its n+-p Structures at Elevated Temperatures. //Applied Solar Energy ISSN 0003-701X. 2008, vol. 44. №1, р.46÷52. |