ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕСВОЙСТВАМНОГОСЛОЙНЫХФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХСТРУКТУРСБАРЬЕРАМИМЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК

Приводятся результаты исследований, направленных на создание фотодиодных структур на спектральный диапазон 0.85?0.9 мкм и 1.31?1.55 мкм с площадью 3х4 мм², которые получены последовательным вакуумным напылением слоев сульфида кадмия и фосфида индия на подложку арсенида галлия, легированного кислородом с удельным сопротивлением 1?10⁷ Ом?см. Отличительной особенностью полученных фотодиодных Au-vGaAs:O-nCdS-nInP-Au структур является двухсторон-няя чувствительность и наличие эффекта усиления первичного фототока (особенно в примесной области спектра) и низкие значения темнового тока (порядка 10 нА) при комнатной температуре. Быстродействие находится в диапазоне от 100 до 250 нс, что открывает возможность для их применения, при низких значениях емкости в открытых системах оптической связи

The results of studies aimed at creating photodiode structures with a spectral range of 0.85?0.9 ?m and 1.31?1.55 ?m with an area of 3x4 mm², which are obtained by successive vacuum deposition of cadmium sulfide and indium phosphide layers on a doped gallium arsenide substrate doped with oxygen with a specific resistance of 1?10⁷Ohm?sm. A distinctive feature of the obtained Au-vGaAs photodiode: O-nCdS-nInP-Au structures is the two-sided sensitivity and the presence of the amplification effect of the primary photocurrent (especially in the impurity region of the spectrum) and low dark current values (of the order of 10 nA) at room temperature. The speed is in the range from 100 to 250 ns, which opens up the possibility for their use, at low capacitance values, in open optical communication systems