758
Нашриёт ҳақида маълумот
Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электрон почта: ispm_uz@mail.ru
| Номи | 2019, Том 1, выпуск 2 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Том рақами | 1 | ||
| Нашр этилган сана | 28/04/2019 | ||
| Саҳифалар сони | 70 | ||
| Бу йилдаги нашр тартиб рақами | 2 | ||
| Умумий сони | 6 | ||
| Файл | |||
| Макола тўлиқ номи | Тил | Саҳифа | Кўришлар сони | Ўқишлар сони |
|---|---|---|---|---|
|
ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ РОДИЯ И ИРИДИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Si-SiО2 СТРУКТУР Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 10-15 | 595 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 16-21 | 470 | 0 |
|
СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ С НАНОКЛАСТЕРАМИ НИКЕЛЯ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 22-26 | 542 | 0 |
|
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕСВОЙСТВАМНОГОСЛОЙНЫХФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХСТРУКТУРСБАРЬЕРАМИМЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 27-35 | 560 | 0 |
|
КАСКОДНЫЙ ИНЖЕКЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ТРАНЗИСТОР Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 36-40 | 461 | 0 |