ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИИ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ CoSi2, ВЫРАЩЕННОЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ФЛЮОРИТА

В работе приводятся результаты анализа эпитаксиальной пленки CoSi₂/Si/CaF₂(100), выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Доказано, что при определенных условиях термической обработки на кристаллической структуре образуются так называемые эпитаксиальные силициды, которые могут играть роль проводящих слоев или металлических покрытий. Полученные данные позволяют делать выводы о морфологии пленки и характере диффузии в слое CoSi₂

The paper presents the results of the analysis of the epitaxial film CoSi2/Si/CaF2(100) grown by molecular beam epitaxy. It is proved that under certain conditions of heat treatment, so-called epitaxial silicides are formed on the crystal structure, which can play the role of conductive layers or metal coatings. The data obtained allow us to draw conclusions about the morphology of the film and the nature of diffusion in the CoSi2 layer