695

В работе рассматривается влияние одноосного механического давления на концентрацию и подвижность носителей тока в кремнии, легированном золотом. Наблюдаемые изменения тензосопротивления объяснены перераспределением носителей тока в долинах границы зоны проводимости в легированном кремнии.

  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 17-12-2019
  • Ўқишлар сони 662
  • Нашр санаси 26-02-2017
  • Мақола тилиRus
  • Саҳифалар сони26-29
Ўзбек

Мақолада бир тарафлама механик босимнинг олтин билан легирланган кремнийда ток ташувчилар ҳаракатчанлиги ва зичлигига таъсири ўрганилган. Тажрибаларда кузатилган тензоқаршиликнинг ўзгаришлари легирланган кремнийда ўтказувчанлик соҳаси чегаралари чуқурликларидаги ток ташувчиларнинг қайта тақсимланиши билан боғлиқ эканлиги кўрсатилган.

Русский

В работе рассматривается влияние одноосного механического давления на концентрацию и подвижность носителей тока в кремнии, легированном золотом. Наблюдаемые изменения тензосопротивления объяснены перераспределением носителей тока в долинах границы зоны проводимости в легированном кремнии.

English

In this article the author discusses the infl uence of uniaxial pressure on the concentration and mobility of charge carriers in silicon doped with gold. The observed changes in the tensor resistance explained the redistribution of the carriers in the valleys of the conduction band in doped silicon.

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Mamatkarimov O.O. Namangan muhandislik texnologiyasi instituti
2 Tursunov I.G. O'zbekiston Milliy universitet
№ Ҳавола номи
1 1.Маматкаримов О. Тензоэлектрический эффект в кремнии с глубокими уровнями и в структурах на их основе. // Док.диссерт.2003.с.251. 2. S.Suthram, J.C.Ziegert, T.Nishida and S.E.Thompsonю Piezoresistance Coeffi cients of (100) Silicon nMOSFETs Measured at Low and High (~1.5 GPa) Channel Stress. IEEE electron device letters, vol. 28, no.1,2007. 3. Семенюк А.К., Федосов А.П. Пьезосопротивление n-Ge при наличие глубоких уровней. //ФТП. 1979. –т.13. – вып.5. – С.1001-1003. 4. Абдураимов А., Бахадырханов М.К., Турсунов О.О., Илиев Х.М. Пьезо и Холл эффекты в p-Si при ОУД. // ФТП. 1985. – т.19. – вып. 11. –С. 2052-2054. 5. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. – Киев. – Наукова думка. 1975.- 703 с. 6. Кучинский Л.В., Ломако В.М., Шахлевич Л.Н. Конфигурационно-бистабильные дефекты в кремнии. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т.43. вып.9. С.423-425. 7. Зайнабидинов С. Физические основы образования глубоких уровней в кремнии.- Т.: Фан, 1984.- 160 с.
Кутилмоқда