В работе выявлены механизмы стабилизации рабочих режимов каскадных инжекционно-вольтаических транзисторов. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскадного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при значениях обратного напряжения коллектор-база в 2-3 раза более высоких, чем отдельно взятые транзисторы
В работе выявлены механизмы стабилизации рабочих режимов каскадных инжекционно-вольтаических транзисторов. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскадного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при значениях обратного напряжения коллектор-база в 2-3 раза более высоких, чем отдельно взятые транзисторы
This paper identified mechanisms for stabilization the operating modes of cascode injection-voltaic transistors. The results of research of the V-I characteristic of cascode injection-voltaic transistor are presented. It is shown that the proposed transistor operates stably at values of the reverse voltage collector-base 2-3 times higher than single transistors
№ | Муаллифнинг исми | Лавозими | Ташкилот номи |
---|---|---|---|
1 | Aripova Z.K. | старший преподаватель | TATU |
2 | Toshmatov S.T. | PhD, докторант | TATU |
3 | Andreev V.M. | Dr. of Tech. Sc., Professor, Corresponding Member of the Russian Academy of Sciences, Head of the Laboratory | the Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences |
№ | Ҳавола номи |
---|---|
1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |