712

Нашриёт ҳақида маълумот

Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электрон почта: ispm_uz@mail.ru

Номи 2019, Том 1, выпуск 3
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Том рақами 1
Нашр этилган сана 26/06/2019
Саҳифалар сони 76
Бу йилдаги нашр тартиб рақами 3
Умумий сони 6
Файл
Кутилмоқда
Макола тўлиқ номи Тил Саҳифа Кўришлар сони Ўқишлар сони

РОЛЬ ТЕРМООБРАБОТКИ В ФОРМИРОВАНИИ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ КОБАЛЬТА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 9-15 429 0

РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАНИЕ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЕ. МОДЕЛЬ ДРЕССЕЛЬХАУЗА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 16-21 416 0

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИАПАЗОНА УСТОЙЧИВОЙ РАБОТЫ КАСКАДНОГО ИНЖЕКЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКОГО ТРАНЗИСТОРА В ОБЛАСТИ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЛАВИННОГО ПРОБОЯ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 21-29 487 0

ОСОБЕННОСТИ НОВОЙ КОНСТРУКЦИИ БАЛКИ ДЛЯ ВЕСОИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ДАТЧИКА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 30-36 455 0

ОСОБЕННОСТИ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ОБЕДНЕННОЙ БАЗОВОЙ ОБЛАСТЬЮ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 43-49 502 0