ОСОБЕННОСТИ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ОБЕДНЕННОЙ БАЗОВОЙ ОБЛАСТЬЮ

Представлены результаты исследования термочувствитель-ности кремниевых структур с обедненной базовой областью, в которой в качестве измерительного параметра используется напряжение полного обеднения базовой области. Показано, что при определенном запирающем рабочем напряжении (Uo) происходит полное обеднение базовой области исследуемой кремниевой структуры, и измерительный потенциал от нарастающего рабочего напряжения приобретает неизменное значение, которое меняется только при изменении температуры пропорционально ей. Определена термочувствительность структуры в широком температурном диапазоне от -180^оС до 180^оС, которая отличается высокой линейностью с чувствительностью +2.18 мВ/^оС.

The results of a study of the temperature sensitivity of silicon structures with a depleted base region, in which the voltage of full depletion of the base region is used as a measurement parameter, are presented. It is shown that at a certain reverse operating voltage (Uo), the base region of the silicon structure under study is fully depleted, and the measuring potential by the growing operating voltage acquires a constant value, which changes only by changing of the temperature and proportionally to it. The temperature sensitivity of the structure was determined over a wide temperature range from -180?C to 180?C, which is highly linear with a sensitivity of +2.18 mV/^оС