Теоретически рассмотрены особенности свойств плазменных контактов полупроводника в сверхтонкой газоразрядной ячейке, в частности кинетика нарастания потока носителей при включении прямоугольной ступени напряжения. Анализирован более сложный случай, когда последовательно со слоем фоточувствительного полупроводника имеется слой распределенного сопротивления, а также – случай, когда напряжение, подаваемое на газоразрядную ячейку, имеет более сложную форму, чем прямоугольная ступень. В частности показано, что стационарная величина концентрации неравновесных носителей пропорциональна освещенности, а воздействие плазмы дает линейное усиление фототока.
Theoretically, the features of the plasma contacts of a semiconductor in an ultrathin gas discharge cell are considered, in particular, the kinetics of the increase in the carrier flux when a rectangular voltage stage is turned on is considered. A more complicated case is considered when there is a layer of distributed resistance in series with the photosensitive semiconductor layer, as well as the case when the voltage supplied to the gas discharge cell has a more complex shape than a rectangular step
№ | Муаллифнинг исми | Лавозими | Ташкилот номи |
---|---|---|---|
1 | Daliev K.S. | д.ф.-м.н., проф.,Директор | Ташкентский филиал московского энергетического института |
2 | Khaydarov Z.. | к.ф.-м.н | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
3 | Yuldashev N.K. | д.ф.-м.н., проф., | Ферганский политехнический институт |
4 | Yuldashev K.T. | доктор философии (PhD) по физико- математическим наукам | Ферганский политехнический институт |
№ | Ҳавола номи |
---|---|
1 | Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника |