767

Нашриёт ҳақида маълумот

Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электрон почта: ispm_uz@mail.ru

Номи 2020, том 2, выпуск 3
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Том рақами 2
Нашр этилган сана 25/06/2020
Саҳифалар сони 70
Бу йилдаги нашр тартиб рақами 3
Умумий сони 6
Файл
Кутилмоқда
Макола тўлиқ номи Тил Саҳифа Кўришлар сони Ўқишлар сони

ABOUT THE CHARACTERISTICS OF MULTILAYER THIN-FILM STRUCTURES WITH DYES BASED ON TITANIUM DIOXIDE

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 46-49 170 0

THE INFLUENCE OF EXTERNAL FACTORS ON PROPERTIES OF IRRADIATED SILICON MIS STRUCTURES

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 50-52 386 0

INFLUENCE OF THE GAMMA IRRADIATION ONTO IV CURVE OF THE SURFACE BARRIER METALL-SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH MICRO-TEXTURED INTERFACE

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 53-55 190 0

STUDY OF STRUCTURAL DISORDERING OF SILICON IONIC IMPLANTED WITH MANGANESE BY THE METHOD OF COMBINATION LIGHT SCATTERING (RS).

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 56-59 208 0

THE EFFICIENCY OF SOLAR DRYERS

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 60-63 191 0