602
Нашриёт ҳақида маълумот
Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электрон почта: ispm_uz@mail.ru
| Номи | 2020, том 2, выпуск 4 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Том рақами | 2 | ||
| Нашр этилган сана | 25/08/2020 | ||
| Саҳифалар сони | 69 | ||
| Бу йилдаги нашр тартиб рақами | 4 | ||
| Умумий сони | 6 | ||
| Файл | |||
| Макола тўлиқ номи | Тил | Саҳифа | Кўришлар сони | Ўқишлар сони |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 29-32 | 181 | 0 |
|
THE INFLUENCE OF THE MICROWAVE FIELD ON THE CHARACTERISTICS OF THE p-n JUNCTION Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 33-36 | 176 | 0 |
|
COMPACT SPECKLE INTERFEROMETER FOR DIGITAL SHEAROGRAPHY Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 37-40 | 247 | 0 |
|
NEW ENERGY AND RESOURCE SAVING TECHNOLOGIES FOR PRODUCING SILICON AND ITS ALLOYS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 41-44 | 183 | 0 |
|
CRITERIA FOR OBTAINING COMPENSATED NICKEL SILICON Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 45-47 | 250 | 0 |